FINFET为什么能抑制short channel effect啊？

xhwubai · 发表于 2012-6-13 20:27:09

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本帖最后由 xhwubai 于 2012-6-13 20:34 编辑

finfet就是多了个gate，多了个gate为什么SCE就变了呢？

什么原理？？？

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iamshan · 发表于 2012-6-13 23:41:41

回复 1# xhwubai
研究这个东西有什么实际意义吗？
国内没有fab提供这种工艺的吧？

andyxjsh · 发表于 2012-6-24 20:00:33

学习一下

scu_lin · 发表于 2012-9-11 15:57:02

栅的控制能力增强

八部众生 · 发表于 2012-12-12 00:37:39

有点类似于薄膜器件，将沟道限制住，压缩channel里面gate场的控制范围，增强场控制能力

louis506660842 · 发表于 2012-12-12 09:10:46

学到了，受益匪浅

ygchen2 · 发表于 2013-6-28 02:39:37

抑制了漏端电场对沟道的渗透。

tyywoody · 发表于 2013-7-26 09:22:53

一般的短沟FET因为在Vd作用下，会使得S极受到作用。但如果沟道被G极包裹的话，会产生一个相对垂直的电场，原本S->D极或者D->S流动的载流子有个相当于中和的效应。因此，D,S极附近及其氧化层表面接触的耗尽层电子能相对被束缚，那么势垒效应就不会有那么明显了，短沟现象被相对的减轻。

semico_ljj · 发表于 2014-6-5 00:06:15

回复 8# tyywoody

batter

ksj116 · 发表于 2014-8-26 19:48:01

先进的FinFET工艺，其特点还有同样的面积增加了集成度和寄生效应（管子做在SOI材料上的）。

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