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查看: 3341|回复: 5

[求助] 关于LED驱动中的功率开关管的疑问,求高手指教!

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发表于 2012-6-8 09:16:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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虽然设计的开关管的尺寸很大,但是还是由小的功率管组合成的,请问组成开关管的单个功率管的尺寸是不是要符合ESD的设计规则(因为工艺库提供的功率管的沟道长度都是确定的1.2u,只有W可以更改。而ESD设计规则里面要求长度至少1.8u,宽度35u至45u。所以如果必须符合ESD规则的话,我必须自己画功率管),因为我听说开关管的漏端输出,且面积又大,不需要额外的ESD保护。。。求大神指教!谢谢!
发表于 2012-6-8 11:47:16 | 显示全部楼层
可以按照ESD得结构画,但是不必完全按照他的rule来。
发表于 2012-6-8 13:40:01 | 显示全部楼层
问下电路设计者吧,采用1.2u的管子行不行,或者按比例缩小或扩大尺寸,以符合规则要求。
发表于 2012-6-18 18:00:26 | 显示全部楼层
1. 驱动管高压还是低压?
2. P管还是N管?
3. 是否能从foundry拿到这个驱动管不同size的esd测试数据?
4. ESD防护对于新工艺来说是个挑战,所以需要做很多的尝试,或许很幸运,一次搞定。
5. 增大length会增加Rdson,那么size也会增大,esd防护很多时候是通过调整drain contact to gate spacing,个人认为可以维持现有的length
 楼主| 发表于 2012-6-19 09:47:06 | 显示全部楼层
回复 4# jian1712


    是高压的N管,谢谢~
发表于 2012-6-19 16:12:13 | 显示全部楼层
个人认为有以下方案用来参考:
1. 不知用的是哪家的工艺,通常来讲,foundry在开发这个device的时侯会考虑到它的esd能力,可以问问foundry有没有这个器件的esd测试数据用来做参考
2. 尝试用器件本身来扛esd,因为size很大,所以能够扛一下,但是高压N管有snapback特性,所以在esd状态下导通均匀性会很差,所以layout时需要注意,同时这个器件在esd状态下gate端的状态未知,所以也会影响esd的性能
3. 如果pcell能够做到改变drain contact to gate spacing那是最好不过的了,可以适当增加这个spacing, 来增强esd性能,如果增加这个spacing,那么电路里面也要看到这个参数,因为它会影响器件的特性
4. 在这个n管上并上一个esd器件,让esd器件的Vt1小于这个器件的breakdown电压

拙见而已,欢迎指正,哈哈。
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