MOS管饱和时的电流

tl110120

我这里也不大明白啊 饱和区导电问题不大 进入饱和区后夹断点跟漏极之间没有强反型 但耗尽层原先的多子也能导电吧（所谓的电场把电子拉过去）我疑惑的是缓变沟道近似 薄层电子近似后推出的饱和电流方程 饱和电流应该反比于实际沟道长度（夹断点跟源极）啊 漏源电压加大 夹断点向源极移动 饱和电流别说饱和 不是都要发散了？这时候书上说忽略实际沟道长度变化 取沟道长度恒定为最大值。。。。我就晕了。。。求帮助 另外实际特性图里饱和区电流也是略微上升的 求解释

飘落的诗行

漏端电压很高，沟道夹断，电子通过夹断部分，也就是一个很强的电场

ygchen2

试着解释一下，其实在沟道夹断后，沟道电流是由沟道等效阻抗决定的，所有到达夹断部分边缘的载流子会全部被拉到漏区，一般情况这部分的作用可以忽略。
如果栅源电压一定，饱和沟道阻抗几乎保持不变，所以漏源电流几乎是一定的。
实际上当源漏电压改变时，沟道长度是会有微弱变化的，就是平常所说沟道调制效应。
在VGS一定的情况下，只有在漏源电压小于VGS-VTH，夹断才会消失，电流开始随VDS“线性”变化，管子进入线性区。
所以在VGS一定的情况下，饱和区时的VDS大于线性区时VDS，相应的电流，饱和区电流高于线性区电流也就是完全自然的事。

etoptoetop

我也不懂，楼主懂了吗？能给我解释一下吗？谢谢啦

etoptoetop

我还是没看懂，沟道夹断后，电子是怎么流过去的呢？楼主懂了的话，能给我解释一下吗？谢谢啦

ygyg100

以NMOS为例，“夹断”后，沟道夹断点和漏端之间是耗尽区，当电子从源端过来达到夹断点时，会受到漏端和夹断点之间强电场的吸引，通过耗尽区，到达漏端。

漏端和夹断点之间“强”电场怎么来的？夹断点的电压是固定的（Vgs-Vt），那么剩下的Vds-（Vgs-Vt）都落在了耗尽区上，也就是落在漏端和夹断点之间。这个“强”电场的“强”也是相对耗尽区的宽度来说的，夹断点靠近漏端时，耗尽区窄，落在其上的电压也小；夹断点远离漏端时，耗尽区变宽，落在其上的电压也大了。

怎么通过耗尽区的？既然已经形成耗尽区，那就意味着PN结两端有电压差。耗尽区是“没有”电子或空穴的区域，当电子到达耗尽区电压低的一边边缘时，PN结的电压差就迫使电子往电压高的那边移动了。

2hen

回复 16# ygyg100


   最近看了一点《半导体器件基础》，刚好有一部分讲到这个，和你的说法类似。所以也算是明白了。。。。。感谢大家的回复！！

bing_bing

回复 4# 2hen

NMOS 下面的反型层，是N 型的。所以反型层里面自由移动的都是
电子。
现在这些电子移动到夹断区附近。那里是一个反偏的PN 结。在这个
PN 结里面，电场的方向是从漏极指向源极的。电子刚刚靠近这个结，
立刻就会被这个结中的电场俘获，并且扫走。最终抵达漏极形成电流。

xiaoyu1366

   

2hen 发表于 2012-5-22 09:07
我想我应该说的详细点，MOS管的饱和是由于夹断现象引起的，那么这时候沟道在漏端已经消失了，如何还能保持 ...

好问题 我也有这个疑问

Amor-biu

这个问题之前也困扰了我好久，应该跟“夹断区”这个说法有关，并不是真的“断”了，夹断区后面是漏端以及空间电荷区，其实是更吸引电子的。可以上小破站搜一下MOS管夹断的概念，有视频有动画，可能更有利于理解。