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楼主: 2hen

[求助] MOS管饱和时的电流

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发表于 2012-10-3 13:16:06 | 显示全部楼层
我这里也不大明白啊 饱和区导电问题不大 进入饱和区后夹断点跟漏极之间没有强反型 但耗尽层原先的多子也能导电吧(所谓的电场把电子拉过去)我疑惑的是缓变沟道近似 薄层电子近似后推出的饱和电流方程 饱和电流应该反比于实际沟道长度(夹断点跟源极)啊 漏源电压加大 夹断点向源极移动 饱和电流别说饱和 不是都要发散了?这时候书上说忽略实际沟道长度变化 取沟道长度恒定为最大值。。。。我就晕了。。。求帮助 另外实际特性图里饱和区电流也是略微上升的 求解释
发表于 2012-10-13 20:08:43 | 显示全部楼层
漏端电压很高,沟道夹断,电子通过夹断部分,也就是一个很强的电场
发表于 2012-10-17 06:11:56 | 显示全部楼层
试着解释一下,其实在沟道夹断后,沟道电流是由沟道等效阻抗决定的,所有到达夹断部分边缘的载流子会全部被拉到漏区,一般情况这部分的作用可以忽略。
如果栅源电压一定,饱和沟道阻抗几乎保持不变,所以漏源电流几乎是一定的。
实际上当源漏电压改变时,沟道长度是会有微弱变化的,就是平常所说沟道调制效应。
在VGS一定的情况下,只有在漏源电压小于VGS-VTH,夹断才会消失,电流开始随VDS“线性”变化,管子进入线性区。
所以在VGS一定的情况下,饱和区时的VDS大于线性区时VDS,相应的电流,饱和区电流高于线性区电流也就是完全自然的事。
发表于 2013-12-23 21:05:46 | 显示全部楼层
我也不懂,楼主懂了吗?能给我解释一下吗?谢谢啦
发表于 2013-12-23 21:07:29 | 显示全部楼层
我还是没看懂,沟道夹断后,电子是怎么流过去的呢?楼主懂了的话,能给我解释一下吗?谢谢啦
发表于 2013-12-25 17:34:31 | 显示全部楼层
以NMOS为例,“夹断”后,沟道夹断点和漏端之间是耗尽区,当电子从源端过来达到夹断点时,会受到漏端和夹断点之间强电场的吸引,通过耗尽区,到达漏端。

漏端和夹断点之间“强”电场怎么来的?夹断点的电压是固定的(Vgs-Vt),那么剩下的Vds-(Vgs-Vt)都落在了耗尽区上,也就是落在漏端和夹断点之间。这个“强”电场的“强”也是相对耗尽区的宽度来说的,夹断点靠近漏端时,耗尽区窄,落在其上的电压也小;夹断点远离漏端时,耗尽区变宽,落在其上的电压也大了。

怎么通过耗尽区的?既然已经形成耗尽区,那就意味着PN结两端有电压差。耗尽区是“没有”电子或空穴的区域,当电子到达耗尽区电压低的一边边缘时,PN结的电压差就迫使电子往电压高的那边移动了。
 楼主| 发表于 2013-12-25 20:33:19 | 显示全部楼层
回复 16# ygyg100


   最近看了一点《半导体器件基础》,刚好有一部分讲到这个,和你的说法类似。所以也算是明白了。。。。。感谢大家的回复!!
发表于 2017-1-6 14:22:41 | 显示全部楼层
回复 4# 2hen

NMOS 下面的反型层,是N 型的。所以反型层里面自由移动的都是
电子。
现在这些电子移动到夹断区附近。那里是一个反偏的PN 结。在这个
PN 结里面,电场的方向是从漏极指向源极的。电子刚刚靠近这个结,
立刻就会被这个结中的电场俘获,并且扫走。最终抵达漏极形成电流。
发表于 2022-11-16 14:18:20 | 显示全部楼层


2hen 发表于 2012-5-22 09:07
我想我应该说的详细点,MOS管的饱和是由于夹断现象引起的,那么这时候沟道在漏端已经消失了,如何还能保持 ...


好问题 我也有这个疑问
发表于 2022-11-16 18:00:37 | 显示全部楼层
这个问题之前也困扰了我好久,应该跟“夹断区”这个说法有关,并不是真的“断”了,夹断区后面是漏端以及空间电荷区,其实是更吸引电子的。可以上小破站搜一下MOS管夹断的概念,有视频有动画,可能更有利于理解。
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