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主讲人:启明
作者QQ工空间地址链接:http://1376310486.qzone.qq.com
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第一讲. 前言(44分钟)
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第二讲. CMOS工艺和无源器件(128分钟)
电阻,N-well电阻,Poly电阻,温度补偿,电迁移,Layout
电容,MIM电容,MOM电容,Layout
电感,宽带电路
------------------------------------------------------ 第三讲. MOS管器件模型(72分钟)
平方率定律,短沟道效应,Halo-doping,corner,速度饱和
VFMR,CLM,DIBL,SCBE
亚阈值区
中等反型区
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第四讲. MOS管小信号模型(82分钟)
开环增益,平方率定律
gm/ID, Vdsat, design example
AC Model, Spice Model
小信号模型中的电容
MOS管的Layout
fT,优值
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第五讲. 噪声(76分钟)
电阻的热噪声
二极管的热噪声
三极管的热噪声
MOS管的噪声
1/f噪声,转角频率
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