请教电平移位levelshift电路设计

corball · 发表于 2013-7-8 12:36:51

从速度上看，如果允许，不要使用电平控制，使用脉冲控制在低压-超高压（40V以上）是很有用的。使用电平控制，高压PMOS M3和M4的栅压要注意不能超范围，这个栅电压又是高压NMOS M1/M2的漏源电压，还是输出级的Buffer的PMOS/NMOS的栅压，这个电压要达到0～VDD（高压电源）的摆幅，所以这个结构要特别注意器件各电压指标的关系。个人认为这个电路适合于高、低压差别不是很大的情形。如果低压、高压差得比较大，就需要使用其他的结构，末节的驱动PMOS和NMOS栅也要独立驱动。

lionlinok · 发表于 2013-7-8 14:49:43

受教了，这么多需要考虑的细节

shucai · 发表于 2013-7-8 17:07:18

21楼说的不错

liutongi351 · 发表于 2013-8-2 15:01:22

会有毛刺问题么？

zrseu · 发表于 2013-9-24 14:52:42

看看这篇文章!

nedved2003 · 发表于 2013-9-24 21:55:36

21楼说的很好

skeyer · 发表于 2014-3-31 23:45:59

咦，变成讨论高压LS了，一样学习

bigbigbird · 发表于 2014-6-22 12:45:52

謝謝!!!

doom2011 · 发表于 2014-9-1 16:34:44

谢谢分享

ralphtw · 发表于 2014-9-3 19:13:08

depend on speed only !

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