可变电容仿真

PERRY_C · 发表于 2015-12-15 19:22:46

回复 1# 天行者郑

楼主，你好。
我看到有些文章介绍，MOS型变容管按SDB的接法不同是分工作区域的。
但库里的这个变容管只有两个端口。
请问楼主知不知道这个变容管是工作在哪个区域的？

还有，如果我用一个NMOS/PMOS来接成一个变容管的话，其性能和这个变容管会一样么？

seles314 · 发表于 2015-12-15 22:24:55

竟然把我回的陈年老帖翻出来了.....
当年不明白的地方已经清楚了，SMIC13nm下电感按照早期的PDK model跑出来Q确实有50，感觉也不合理，结果实际tapeout出来后远低于这个值，会造成VCO输出的swing比设计目标的小，被SMIC坑了一把。不过后续更新的PDK把电感的model更新了就比较准了。

白鲸 · 发表于 2017-6-22 12:44:13

请问，图上的这种可变电容分正负极吗？

tianruozhou · 发表于 2021-12-16 11:30:57

可变电容的q值跟偏压相关，电容大的时候Q值小，电容小的时候Q值大。CV，QV曲线变化趋势是相反的。

seu天士 · 发表于 2024-2-27 20:10:11

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