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查看: 7211|回复: 11

[求助] 我学习设计一个LDO,其中的调整管难住类我,调整管 的W如何确定?

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发表于 2012-4-18 23:46:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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这个管子使用PMOS管。负载300MA。这个管子的W如何确定? L取最小值。

这个W的原则是什么?有人指点一个思路吗?
发表于 2012-4-19 10:26:47 | 显示全部楼层
你可以根据MOS管的ID电流的计算公式估算一下,然后结合仿真得到,你的负载电流300mA,估计要上万个u。。。
发表于 2012-4-19 13:07:48 | 显示全部楼层
打酱油的,纯属帮顶一下。有个疑问:不用L也可以做LDO吧?例如:MC33275这个IC
 楼主| 发表于 2012-4-19 20:51:40 | 显示全部楼层
回复 2# wanghao2202


    老兄 这个W的计算条件。是在最低输入电压 下的最大电流吗?
发表于 2012-4-21 00:26:43 | 显示全部楼层
规格书上都有dropout的指标. 你如果看成导通电阻的话, vdrop=Iomax*Ron.
实际上LDO都有OCP的功能, Vsg不可能到电源轨, 也就是不能完全看做类似DCDC的导通电阻. 实际情况是vdrop=Iomax*Rpar+vds, Rpar是包含了pcb走线, bondwire连线,内部走线的寄生电阻. 剩下的vds部分才是功率管的有效压降, 你在SS/HT情况下外加这个电压仿真, Vsg取2~3V(这个值和你的gate buffer和ocp设计有关), 可以得到一个保证所有process corner的W.
 楼主| 发表于 2012-4-21 00:29:41 | 显示全部楼层
这么晚了 你还在线? 我的好好研究你的回复 我现在还看不懂
 楼主| 发表于 2012-4-21 00:33:23 | 显示全部楼层
回复 5# oleaya


    老兄 顺便帮我看看这个曲线什么问题的  仿真曲线怎么和我预想的完全不一致呢?差异太大了

http://bbs.eetop.cn/thread-329361-1-1.html
发表于 2013-10-21 11:47:17 | 显示全部楼层
有没有大牛认真解释下?
发表于 2014-5-16 17:38:26 | 显示全部楼层
回答的有道理,根据要求反推
发表于 2014-12-16 09:41:57 | 显示全部楼层
谢谢分享
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