关于两个MOS管串联的讨论。

aktwhh · 发表于 2015-5-2 13:37:49

回复 1# zgln1234

个人觉得还可以提高电路的耐压水平

yhy1304 · 发表于 2015-6-8 15:28:02

常用于低电压的电路吗？

magicdog · 发表于 2015-6-8 18:45:48

layout 比较好做。。。。

_spectre · 发表于 2015-6-8 21:29:16

串联获得的增益要大很多。。。PS 可以参考拉杂维书上第73页。

semico_ljj · 发表于 2015-6-8 22:09:39

Luxuchang · 发表于 2015-11-12 15:55:40

thanks good talk

灵梦丫 · 发表于 2015-12-30 18:02:14

回复 1# zgln1234
楼主，你知道答案了吗

wyfchinaitlab · 发表于 2016-2-25 10:53:57

huaxy08 · 发表于 2016-3-1 10:28:38

有一种情况下经常用这种代替直接增加L: 作为一个rise/fall time很大的信号的buffer，比如ring oscillator的输出buffer。前级rise/fall time很大，所以这个buffer的short current会很大。两管串联比直接增加L效果更好，原因：
1. 因为上面管子的衬偏效应，Vth更大，所以short current更小；
2. 同样因为Vth更大，上面管子的栅电容也更小（栅电容在Cov和2/3Cox之间，变化点是Vth，更大的Vth平均来看Cov那段更长）

uestcxyx · 发表于 2017-10-22 22:11:24

回复 19# huaxy08

佩服佩服，学习了。

[求助] 关于两个MOS管串联的讨论。

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