每支路只有几十nA电流的LDO设计问题

sycorc110 · 发表于 2012-8-22 10:24:20

感谢看看怎么回事！

griffinseu · 发表于 2012-8-23 13:20:32

学习，学习。

jingscu · 发表于 2012-8-29 22:29:09

回复 8# guang3000

谢谢！！！！

crcherry · 发表于 2012-8-30 15:28:37

回复 16# xiaowanzi88

弱弱地问一下 “在两个有源区之间存在一条固定高电位的底层metal/poly”指的是什么情况啊？能举个例子说明吗还有为什么开关型器件漏电流会更明显啊我是模拟刚入门的菜鸟麻烦大牛解释一下啊~~~

foxzciori · 发表于 2012-8-30 17:17:09

总电流3uA，每条支路20~30nA，电路结构似乎有点复杂吧。不过已经过了快半年了，不知道LZ tapeout了没。

万水之源 · 发表于 2012-8-30 17:38:12

学习学习

liaotian001 · 发表于 2012-12-27 10:55:34

up!
up!

mhleu · 发表于 2012-12-27 12:59:38

"在两个有源区之间存在一条固定高电位的底层metal/poly",指的是metal/poly是gate端,兩個有源區為source及drain,這樣就形成field transistor,如果metal/poly電位很高,可能發生漏電流.

selfsalvation04 · 发表于 2012-12-27 22:03:28

学习了，谢谢那个斑竹的漏电流的分析

kumar19 · 发表于 2012-12-28 22:24:29

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[求助] 每支路只有几十nA电流的LDO设计问题