图中是EN输入ESD结构，求高手指点，谢谢！

math123 · 发表于 2011-12-7 21:30:53

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本帖最后由 math123 于 2012-1-9 23:04 编辑

图中是一个0.5um tripple well cmos工艺的EN输入的ESD结构，用来过ESD 2kV，电路如图所示

N1 N2和N3用的是普通5V NMOS管子还是特殊的管子啊？其W/L大小，漏极面积和layout等怎么确

定啊? 是代工厂给出的还是自己画的啊？

   还有，测ESD的时候，是VIN和VSS都接地吗；

                              还是VIN接5V，VSS接地；

                              或者VIN悬空，VSS接地啊？这个电路的工作原理是怎样的啊？请高手指点，谢谢！

liulun · 发表于 2011-12-8 10:23:25

这是一种最普通的2级 ESD结构，VIN接的那个NMOS管起到电阻的作用，电路实质是接地，你可以看成GGNMOS的NMOS。
电路的功能是寄生NPN管崩溃导通，泄放电流。
至于第一个NMOS管的GATE不直接接地或接个小电阻，是为了防止N1 不均匀导通失效。

protose · 发表于 2011-12-8 10:48:53

这个是典型的floating gate 的ESD结构，其原理是这ESD event的瞬间使N1走过一定的电流从而触发寄生的NPN的base出现漏电，NPN的base电位可以抬升最后使得NPN管导通。需要控制的是这个电流，小了触发NPN不容易，大了会使得poly gate出现热电子击穿。

math123 · 发表于 2012-1-9 23:02:57

这是一种最普通的2级 ESD结构，VIN接的那个NMOS管起到电阻的作用，电路实质是接地，你可以看成GGNMOS的NMOS ...
liulun 发表于 2011-12-8 10:23

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谢谢！查了下资料

在CMOS工艺中，MOSFET型的ESD电源钳位在芯片设计中已成为一种标
准的ESD设计实现。在早期的实现方式中，一个大尺寸的栅接地(Gate．Ground)
的NMOS管(GG-NMOS)接在芯片的VDD和Vss之间，作为ESD电流的通路，

图GG-NMOS的核心钳位

当ESD发生在VDD与Vss之间时，该NMOS管中寄生的二极管发生回扫击
穿(snapback breakdown)，衬底由于调制作用电位上升，引起双极型结构的开启，
VDD上的电压就被钳位在寄生二极管的回扫电压上，从而起到对内部电路的保护作用

math123 · 发表于 2012-1-9 23:09:10

这个是典型的floating gate 的ESD结构，其原理是这ESD event的瞬间使N1走过一定的电流从而触发寄生的NPN的base出现漏电，NPN的base电位可以抬升最后使得NPN管导通。需要控制的是这个电流，小了触发NPN不容易，大了会使得poly gate出现热电子击穿。

谢谢！你的意思是这个ESD的原理是和GG-NMOS是不同的，这里VCC测试的时候是悬空的，所以N1的栅极到地的电阻是非常大的，相当于悬空，是吧？

lkj2003 · 发表于 2012-1-10 18:10:17

那你VIN接的那个N2管子不用考虑esd吗? VIN的ESD是否会击穿它？还是它离VIN Pin已经很远了不用考虑？

math123 · 发表于 2012-1-10 21:32:35

那你VIN接的那个N2管子不用考虑esd吗? VIN的ESD是否会击穿它？还是它离VIN Pin已经很远了不用考虑？
lkj2003 发表于 2012-1-10 18:10

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VIN就是LDO的VCC，这里离VIN的焊盘也有个100um远

semico_ljj · 发表于 2012-1-11 09:38:52

学习，看看。。。

selfsalvation04 · 发表于 2012-11-20 23:03:08

回复 5# math123

您好，能不能把您的ESD结构的资料我给一些啊，我最近也在找这方面的东西

king0798 · 发表于 2012-11-22 14:48:18

学习了

[求助] 图中是EN输入ESD结构，求高手指点，谢谢！

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