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[求助] 关于同步bulk型DCDC, lowside NMOS管的控制问题

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发表于 2011-11-30 10:39:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大虾:
     请问一下你们设计同步bulk型DCDC, lowside NMOS管的时序时,都要考虑哪些因素呢?

     是highside PMOS关断后,lowside NMOS经过一定dead time后无条件导通; 还是highside PMOS关断后,再确定SW端低于GND后(就是再加一个比较模块)再导通. 这两者有什么优缺点吗?

     再一个过零比较时,是采用电平形式控制NMOS的关断;还是边沿模式控制NMOS的关断,这两者又有什么优缺点呢?

     我采用的是 highside PMOS关断后,lowside NMOS经过一定dead time后无条件导通,及边沿模式控制NMOS的关断. 流片后发现部分芯片无法进burst模式,正在考虑这些原因.   

     欢迎大家交流,谢谢.
发表于 2011-12-12 13:14:51 | 显示全部楼层
后者好。也叫自适应dead time方式。导致dead time最小。
 楼主| 发表于 2011-12-13 14:38:43 | 显示全部楼层
不过后一种方法经常会导致dead time过长的啊,因为比较器需要一定时间响应,而一般dead time也就设置在20ns左右。

另外过零比较是采用哪种方式呢?
发表于 2011-12-17 14:17:44 | 显示全部楼层
不一定需要比较器啊
发表于 2011-12-17 17:27:43 | 显示全部楼层




    过零是指critical discontinue conduction mode吗?
一般变频控制还是用on-shot比较多一些
发表于 2011-12-18 13:54:19 | 显示全部楼层
不是。
指反向电流检测
 楼主| 发表于 2011-12-26 16:03:30 | 显示全部楼层
"是highside PMOS关断后,lowside NMOS经过一定dead time后无条件导通; 还是highside PMOS关断后,再确定SW端低于GND后(就是再加一个比较模块)再导通. 这两者有什么优缺点吗?"

   这后一种方法就需要一个比较模块来确定“SW端低于GND”这个事件啊。
发表于 2012-1-2 18:25:37 | 显示全部楼层
本帖最后由 Chilton 于 2012-1-2 18:58 编辑

回复 1# seedcloud

Fixed deadtime: design is simpler, but efficiency is usually low because your synchronous switch does not necessary turn-on at the right time. Actually, it almost never turns on at the right time. When synchronous switch doesn't turn-on at the right time, either you have shoot-through current (deadtime too short) or current through body diode (which usually is sloppy) (deadtime too long).

Adaptive deadtime control: design is very challenging, to be specific, the zero-cross comparator design is not easy. You need a fast (therefore small-sized) comparator with very low offset (mV range) and the offset voltage itself can not change with temperature. This is the usual challenge for real circuit design.

09 Lecture 9.part15.rar

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 楼主| 发表于 2012-1-4 13:04:12 | 显示全部楼层
to Chilton:
        照这么说low offset高速比较器的设计是关键。那这个特征是现在的主流设计吗?它一般能提高几个点的效率呢?
发表于 2012-2-2 09:42:41 | 显示全部楼层
dingding    学习中
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