关于同步bulk型DCDC, lowside NMOS管的控制问题

Atic · 发表于 2012-3-27 11:09:08

回复 1# seedcloud

Highside關掉，這是最好判斷的，因為關掉後沒有了VIN，Phase自然會降到1V以下，電路可以偵測這個訊號，讓Lowside導通
不需要甚麼特別的deadtime，除非是電感的是逆電流狀況。

其它狀況如，Lowside關掉，如何讓highside，一般來說做fix的deadtime就可以了。但考量到有些會用一些較大的電容的MOS, deadtime可能不夠用失效造成short through 。
但現在有所謂的adjust 的技術，也就是偵測上關下關走diode負電壓，就判定為lowside關掉，然後讓highside導通。比較麻煩就是了。

kjshen · 发表于 2012-5-8 14:28:15

dingding 学习中

模拟新手 · 发表于 2012-5-8 23:29:16

真的受益匪浅！！

zikelee · 发表于 2012-5-10 17:15:39

通常不会为了这个加一个高速比较器的，太浪费了，关键在于你的设计为什么会进不了burst模式，一般来说保证上下两个管子不同时导通即可。

huang_l_b · 发表于 2012-10-17 14:37:37

学习学习

xyxfox · 发表于 2012-10-20 19:27:00

过零比较的方式好，一个是它实现了low side mosfet的零电压开通，同时死区时间短，效率会比较高。

gwj221 · 发表于 2012-10-20 22:21:04

顶顶更健康，学习了

ni2121 · 发表于 2012-10-20 23:41:41

学习中!!!:

szhang1979 · 发表于 2012-11-20 15:31:51

学习中!!!:

[求助] 关于同步bulk型DCDC, lowside NMOS管的控制问题

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