在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
楼主: seedcloud

[求助] 关于同步bulk型DCDC, lowside NMOS管的控制问题

[复制链接]
发表于 2012-3-8 19:34:56 | 显示全部楼层
发表于 2012-3-27 11:09:08 | 显示全部楼层
回复 1# seedcloud



Highside關掉,這是最好判斷的,因為關掉後沒有了VIN,Phase自然會降到1V以下,電路可以偵測這個訊號,讓Lowside導通
不需要甚麼特別的deadtime,除非是電感的是逆電流狀況。


其它狀況如,Lowside關掉,如何讓highside,一般來說做fix的deadtime就可以了。但考量到有些會用一些較大的電容的MOS, deadtime可能不夠用失效造成short through 。
但現在有所謂的adjust 的技術,也就是偵測上關下關走diode負電壓,就判定為lowside關掉,然後讓highside導通。比較麻煩就是了。
发表于 2012-5-8 14:28:15 | 显示全部楼层
dingding    学习中
发表于 2012-5-8 23:29:16 | 显示全部楼层
真的受益匪浅!!
发表于 2012-5-10 17:15:39 | 显示全部楼层
通常不会为了这个加一个高速比较器的,太浪费了,关键在于你的设计为什么会进不了burst模式,一般来说保证上下两个管子不同时导通即可。
发表于 2012-10-17 14:37:37 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2012-10-20 19:27:00 | 显示全部楼层
过零比较的方式好,一个是它实现了low side mosfet的零电压开通,同时死区时间短,效率会比较高。
发表于 2012-10-20 22:21:04 | 显示全部楼层
顶顶更健康,学习了
发表于 2012-10-20 23:41:41 | 显示全部楼层
学习中!!!:
发表于 2012-11-20 15:31:51 | 显示全部楼层
学习中!!!:
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 12:45 , Processed in 0.020340 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表