请教 spectre仿真MOS电容，结果这样，错在哪了

jchdl_ic · 发表于 2011-11-26 11:04:25

回复 10# phdseeker

parameter analysis后，op后的list中仅有模型的例化参数，没有Cgg等参数的

phdseeker · 发表于 2011-11-26 14:39:38

你的DC analysis 我看怎么没有选上啊，DC和parametric一起跑，DC里面不sweep变量，把sweep交给parametric

jchdl_ic · 发表于 2011-11-26 20:08:36

回复 12# phdseeker

感谢各位的热心帮助，现在按照phdseeker 的DC方法已可以仿真DC器件的cgg了，但RF器件，找不到op中的 Cgg.
一直在想采用伯克利的EE240中的方法仿真电容，如http://bbs.eetop.cn/viewthread.p ... 8%DD%2B%B7%C2%D5%E6中的疑问，但我自己用AC分析，还是图最初的结果一样，出不来想要的结果，不知为何

whustyzh · 发表于 2011-11-29 00:21:11

回复 13# jchdl_ic

你好！我当时用伯克利EE240的交流分析方法测出了你所给链接中的曲线。看了下楼主的仿真设置，应该没什么问题，不过在测栅极电流值时没有报错么？貌似不能直接测栅极电流的吧...我当时是在栅极接了个0欧姆的电阻，然后通过观测流过电阻的电流（数值上与MOS电容值等价），得到了C-V曲线，楼主不妨一试...

jchdl_ic · 发表于 2011-11-30 12:34:36

回复 14# whustyzh

你好，我试过直接在栅端测电流时，ig_vg，是有电流曲线的，说明是可以直接在栅端测的。但是我用,我上述的方法，用AC测时，就测不出正常的曲线，不是你是怎么具体设置的，能否有空时，详细说下吗？
还有，就是用hspice时，输出电容，他有专门xl18表示Cgg,但这个仅限于DC器件的仿真，在RF器件中，会在dc器件加入很多寄生参数，这样，如还是这样仿真，我想，是不是把那些寄生的成分没考虑进去，
所以我想用EE240中的AC方法仿真下，但是结果很糟糕，结好几个foudary的PDK都试过，均是这样的结果

whustyzh · 发表于 2011-12-3 11:23:15

本帖最后由 whustyzh 于 2011-12-3 11:24 编辑

回复 15# jchdl_ic

lz你好！我的仿真设置见附件

我的仿真设置.pdf (480.56 KB, 下载次数: 577 )

lxc531 · 发表于 2011-12-3 15:44:49

hao dong xi
hao dong xi

jchdl_ic · 发表于 2011-12-4 10:23:17

本帖最后由 jchdl_ic 于 2011-12-4 12:47 编辑

回复 16# whustyzh

wt 表示总的栅宽
wr表示单指栅宽
lr 表单指栅长
nr 表finger
SMIC 工艺

再次试了下，这种方法在smic 65nm工艺中，还是出不来想要的结果的

Jason_ke · 发表于 2011-12-6 11:40:11

绝对要支持::Thanks!!!

liuqingfeng2011 · 发表于 2012-1-6 09:24:10

我也来试试！

[求助] 请教 spectre仿真MOS电容，结果这样，错在哪了

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