请问有谁用纯CMOS工艺做过带隙吗？

122013137 · 发表于 2007-1-6 17:40:58

一致性，温漂不行吧

dihooama · 发表于 2007-1-6 19:17:15

可以做的，如果不做温度补偿，一般可以做到几十ppm，但chip to chip差异会比较大，几十毫伏属于正常。

alasliu · 发表于 2007-1-11 18:20:44

wo zuo guo ,没有测试

steve_guo · 发表于 2007-1-13 14:01:20

用寄生PNP可以的，也可以用subthreshold 的MOS管

finfoun · 发表于 2007-1-14 18:37:25

我们这里有人做的，工艺库要代工厂给啊

zhanweisu27 · 发表于 2007-1-17 10:17:30

没问题，，，

０.１８，，０.３５的做出来都不错

满足10bit,50MSps,pipeline之类是没问题的

lxc531 · 发表于 2007-1-17 15:23:19

能否交流交流下经验

Rabbie · 发表于 2007-1-17 17:36:58

感觉就是一直性不好每个片子测出来的基准值都不同相差有30mV左右~

premp · 发表于 2007-1-18 20:47:05

10 ppm 谁做的出来? 实际100ppm就很不错了!

辽大队长 · 发表于 2011-1-14 13:26:11

顶一下，最近也在看这方面的资料，准备着手试试，不过只用MOS管做确实比较难，希望有经验的老兄给俺留言！！！

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