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[资料] 关于高压DMOS工艺 mos驱动用的 levelshift资料

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发表于 2011-10-17 16:55:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 zouyufeng 于 2011-10-19 09:17 编辑

如附件所示,在项目进度中我会实时更新的!

采用BCDMOS技术的电流模降压型DC_DC转换器功率级设计.pdf

1.45 MB, 下载次数: 2443 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

有用的参考

高速MOS驱动技术介绍(很重要啊).pdf

345.26 KB, 下载次数: 1749 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

基本的知识普及

 楼主| 发表于 2011-10-17 16:56:44 | 显示全部楼层
应大家的需要,推荐一个比较好的论文,
如果有好的,可以参考的文献,大家一起上传哈
就在这个帖子下面,欢迎跟帖!
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发表于 2011-10-19 10:00:26 | 显示全部楼层
问一下,你有用过上面一篇文章中的level shifter么。那两个钳位二极管的瞬态导通电流有多大。可以正在钳住么。
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发表于 2011-10-19 18:49:19 | 显示全部楼层
dddddddddddddddd
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发表于 2011-10-22 19:03:05 | 显示全部楼层
持续关注中,谢谢楼住!
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发表于 2011-10-23 10:22:40 | 显示全部楼层
多谢楼主
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发表于 2011-10-24 15:54:05 | 显示全部楼层
Thanks
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 楼主| 发表于 2011-10-25 09:30:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 zouyufeng 于 2011-10-30 23:51 编辑

回复 3# allentel


确实比较大,我也正在考虑,串上一个大电阻看看!
经过我的仿真,使用CSMCBCD工艺,这个电压是可以钳住的,但是不可能很准确,看你工艺的实际耐压啦
标称5V耐压的,一般6V也不会出问题,至于电流,电阻完全可以控制,我现在300uA,我认为在速度和功耗间这是个很好的折中!

levelshift基本上解决了,现在的问题是同步整流的两个功率开关如何保证 两相不交叠的问题,呵呵,这个大家可以在这个levelshift的基础上讨论一下,呵呵
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 楼主| 发表于 2011-10-30 23:57:26 | 显示全部楼层
其实折中结构是一个专利,还有很多类似的专利,大家可以去查,有些后面还要接dV/dt滤波器的,这样就更完美了,抗干扰能力更强,但是引入了一定的延时~

另外跟大家说一下,资料只是参考,是提供一个思路,不要照搬,这个东西不同的工艺和项目要求要灵活的使用,如有问题和好的资料请随手添加

也许,有一天你也能从这里得到别人的帮助!
我个人不怎么上QQ,所以就不留了

有问题请在此贴回复,我会尽量作答,也会引出潜水的牛人来解决,呵呵
学无止境!
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发表于 2011-11-1 15:11:57 | 显示全部楼层
回复 8# zouyufeng


    dead time的问题:可以通过检测Low Side DRV到GND,加入delay time T1,接回high side驱动;同时检测high side DRV到Phase,加入delay time T2,引入low side 驱动。通过控制delay time T1、T2以及level shifter的fall/rise time可以达到控制dead time。
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