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楼主: lintao2317

[求助] mom电容值的提取和测试

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 楼主| 发表于 2011-10-14 20:06:52 | 显示全部楼层
不要沉啊,大挽尊术~~
发表于 2011-10-17 10:07:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 semico_ljj 于 2011-10-17 10:09 编辑

直接用Calibre提取,精度还是可以接受,一两倍的误差最多了。一般可以做到误差50%以内。
发表于 2011-10-18 17:37:46 | 显示全部楼层
回复 19# lintao2317


    我自己没写过,是我们的layout工程师负责的。现在我不负责这块了,也没法给你找出layout是怎么改的。不过smic 65nm是直接支持mom的,只是他的rule是按照他的layout做的,你可以仿照他的rule试着修改一下。这样难度就小多了。另外如果这种方法,是需要事先抽取一个标准大小的layout,然后用面积去乘,和当寄生提取,应该是有差异的(没有考虑边缘效应)
 楼主| 发表于 2011-10-22 21:52:13 | 显示全部楼层
回复 23# gaojun927


    也就是说还是需要知道修改后(自己画的)电容的大小,然后去修改rule。但是,calibre的提取误差太大了,在65nm工艺下面,偏离的太厉害了(除非是momdmy这层是有实际物理意义的),所以,无解。
   Anyway, thanks very much for your help.
 楼主| 发表于 2011-10-22 21:54:03 | 显示全部楼层
回复 22# semico_ljj


    恩,130nm工艺的下面的mim电容值用calibre的提取确实蛮准的,你试试smic 65nm工艺下面的mom电容
发表于 2011-10-23 05:34:24 | 显示全部楼层
这个用calibre是不行的,要用EM仿真器,比如ansoft
发表于 2011-11-9 11:25:47 | 显示全部楼层
回复 25# lintao2317


    mim和mom的提取机制不一样,mim算本征器件,mom如果工艺厂不支持,只能当寄生提取。
不知道能否分享一下mom实际与提取的差异具体数据?因为除非工艺厂或者做RF的非常在意,会专门去做比较,做普通电路的很少会为这个去测试片上电容。
发表于 2011-11-9 11:29:52 | 显示全部楼层
回复 26# cqmyg5

从原理上说,你说的工具好比器件物理里的medici,calibre好比仿真时的spice。calibre的底层算法应该就是根据场仿真器的结果进行分段拟合。所以有误差是必然的,关键是误差有多少。
 楼主| 发表于 2011-11-9 18:19:31 | 显示全部楼层
回复 10# vdslafe


    我就是想用电容来作adc,所以才关心其匹配度的问题啊••••••
 楼主| 发表于 2011-11-9 18:21:40 | 显示全部楼层
回复 27# gaojun927


    我也没有实际流片测试过,标准单元库里的最小mom30f,提取出来是200f的样子
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