问两个工艺方面的问题~

terry8876 · 发表于 2011-9-26 20:06:46

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1.怎样区分三种常用工艺（bipolar、CMOS、BiCMOS）？比如做反向提取时，怎样判断该芯片采用的什么工艺？（2个问题了）

2.双极工艺的基区注入、发射区注入与MOS工艺的P注入、N注入有什么区别？

mickey1999 · 发表于 2011-9-27 15:36:07

mos管有多晶，而bipolar这是基区发射区，其两个工艺用的隔离方法不一样。

terry8876 · 发表于 2011-9-28 11:05:17

回复 2# mickey1999

CMOS和BiCMOS都有多晶呢，怎么区分。双极的基区注入和发射区注入与MOS工艺的P.N注入有什么区别？

greg216 · 发表于 2011-10-9 09:25:35

CMOS工艺中只提供寄生的bipolar。BICMOS 工艺中的bipolar是需要通过增加一些层次来实现，所以一般来讲biCMOS中的bipolar特性更好。
因为bipolar的特性需求，双极的基区注入剂量较轻且比P/N较深，所以工艺上是分开进行。一般发射区注入的浓度和深度与N/P注入较为接近，在一些工厂的工艺里是一次完成的。

terry8876 · 发表于 2011-10-9 11:49:49

回复 4# greg216

那怎么从芯片上看出此芯片用的什么类型的工艺呢？

CDS · 发表于 2011-10-14 13:00:06

标准CMOS工艺前道工序（不考虑高压器件、高阻和PIP电容）只有NWELL，PWELL，TO，GT，N+，P+，不能做VNPN器件。工艺中包含有源器件只有NMOS、PMOS、衬底PNP。
双极工艺就是做bipolar的，VNPN，LPNP，衬低VPNP。
BiCMOS工艺就是两种工艺的结合，可以做NMOS、PMOS、VNPN、LPNP和衬底VPNP，工艺层次就多了，成本提高了。
还有BCD工艺，在BiCMOS工艺基础上，可以做LDMOS和JFET，工艺就更复杂了。
你如果有各种工艺的Design Rule，对比一下层次就明白了。

terry8876 · 发表于 2011-10-14 15:08:58

回复 6# CDS

3Q，前两天刚和公司一位师兄讨论了，对这些问题也明白多了。有问题大家一起讨论，确实要明白得多。

jeffcui18 · 发表于 2011-12-29 13:36:38

楼主的问题问的不清楚

terry8876 · 发表于 2011-12-29 18:50:13

回复 8# jeffcui18

哪里不清楚？

guoweiqust · 发表于 2011-12-30 22:44:39

新手，路过。。。暂时看不懂

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