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楼主 |
发表于 2011-9-27 10:47:07
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回复 2# bsaqycx
应该不行啊,现在的Vgs耐压为5V,电源电源15V,所以PMOS管的栅极电压应该在10~15V之间吧;另外如果用levelshift或反相器等结构,这个问题同样存在啊,而且内部管子又如何保证Vgs在安全区呢?
以下是在别人那里看到的:
1. N管的话,外围BOOTSTRAP不说,LEVELSHIFT的话就看你电源有多高,如果有器件可以直接承受的话(比如DMOS管),下面开关用DMOS抗压,上面用5V管镜像即可,后面都用5V就好了;如果没有合适的管子,可以考虑电阻或者MOS管分压
2.P管麻烦点,你除了SHIFT外,还要做嵌位和放电电路
如果哪位牛人懂请说的详细点啊,不胜感激!!! |
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