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查看: 4101|回复: 6

[求助] 砷化镓,锗硅,cmos噪声系数

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发表于 2011-9-12 10:43:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小弟以前是做PCB板,对芯片电路不怎么接触。以前用的射频管很多都是砷化镓的管子。最近在看些芯片电路,有很多都是锗硅,cmos的。现在有个疑问,这三种工艺在设计LNA时,哪种工艺的噪声系数会做的最小?哪位大神有这方面的比较资料,谢谢。Email:jkli022@163.com.
发表于 2011-9-13 23:18:01 | 显示全部楼层
砷化镓NF最好,不过比较贵。
发表于 2012-10-11 15:55:38 | 显示全部楼层
>10GHZ, GAAS>>SIGE>CMOS
BELOW 5GHZ, GAAS>SIGE>=CMOS,
发表于 2013-8-13 10:41:01 | 显示全部楼层
为什么普通mos管的高频噪声性能不好呢
 楼主| 发表于 2013-11-2 15:54:31 | 显示全部楼层
听别人讲是因为工艺制备的不同,导致管子的噪声系数不一样
发表于 2013-11-5 20:35:51 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2019-12-19 09:14:17 | 显示全部楼层
学习了!!!!!!!
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