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[求助] 请教高手,版图中bandgap放在Pad旁边或者芯片边缘角落有影响么?

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发表于 2011-9-1 10:31:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教高手,版图中bandgap放在Pad旁边或者芯片边缘角落有影响么?
前提是Pad边缘距离实际电路有25uM以上的间距。这样的话bandgao受Pad绑定或者切割应力影响还大么?
pad绑定及芯片切割完后是不是还要退火啊?
大家在版图中摆放bandgap一般遵循什么原则?
发表于 2011-9-1 11:35:58 | 显示全部楼层
bandgap这类核心电路最好摆放在芯片中心,减小各种应力的影响,提高匹配。
如果非要摆在边缘上,考虑是PNP/NPN的bandgap,寄生PNP形成的带隙,封装应力对其影响相对NPN的要小一些。
 楼主| 发表于 2011-9-1 12:56:47 | 显示全部楼层
bandgap的摆放也要考虑距离噪声源(如振荡器)的位置远近吧?
噪声源和应力熟轻孰重啊?
另外边缘切割应力对其的影响有多大啊?
发表于 2011-9-1 13:04:35 | 显示全部楼层



没什么影响,不就是个bandgap,
外面还有IO cell,PAD, seal ring,corner cell, stress relief pattern,应该轮到你的bandgap放
发表于 2011-9-1 13:38:11 | 显示全部楼层
谁会把OSC,ChargePump,clock,这些模块放在 bandgap周围呢?如果说把噪声源放在芯片的中央,这种版图设计是失败的。应力对基准电压的影响大约在10mV~50mV之间,这是我们的实验数据。相比较PNP比NPN抗应力的效果要好很多,可以参考IEEE相关论文,反向饱和电压与应力梯度成比例关系的。当然了,这是对性能要求比较高的时候才考虑的,如果这些不care,那怎么玩都行了。
发表于 2011-9-1 13:57:15 | 显示全部楼层


谁会把OSC,ChargePump,clock,这些模块放在 bandgap周围呢?如果说把噪声源放在芯片的中央,这种版图设计是失 ...
xiaowanzi88 发表于 2011-9-1 13:38



兄弟这个说法就不敢苟同,现在的芯片noise source都在芯片中央,呵呵
soc chip,难道你让digital core都放四周,正中间挖个空出来给你放bandgap?
似乎还是学校思维,就bandgap 差个十几mV太正常不过了,corner,offset,mismatch都会有影响
也不在乎这么一点stress effect啦
发表于 2011-9-1 14:40:47 | 显示全部楼层
我是做电源管理芯片的,对于电源类芯片设计,不太可能吧OSC这类的噪声源放在芯片中央。
如果你是做PLL,这类需要大面积数字电路的,那必须放在芯片中央。
因为应力造成的十几mV电压,再加上mismatch之类的误差,最坏情况下,上百个mV都很常见。就看spec怎么要求了。目前我们设计的VBG输出精度在+-1%,大面积的on chip Trimming logical,可以实现。
 楼主| 发表于 2011-9-1 15:54:10 | 显示全部楼层
本帖最后由 daiwei4287 于 2011-9-1 16:07 编辑

最坏情况下,上百个mV都很常见?这是不是太夸张了?这个上百mV应该主要是不同工艺cornner引起的吧?我现在所有工艺及温度cornner下Vref的偏差范围是+/-15mV
边缘部分应力引起的Voffset最坏能到50mV?这个也很大呀,放在芯片中心的话最坏是多少?

我现在设计的是数模混合电路芯片,打算把OSC及CLOCK放在芯片左上角,但是不可避免的芯片中间附近会有一些反相器、与非门之类的数字电路,所以我打算把bandgap放在芯片左下角(芯片右下角有一个pad),我现在考虑的是应力和衬底噪声熟轻孰重的问题
另外,为了防止绑定应力影响,pad周围是需要用电容之类的包起来么?
如果距离pad 50um距离再画运放之类的版图,还需要包么?
我也是第一次听说应力影响的问题
发表于 2011-9-1 17:06:35 | 显示全部楼层
一般bandgap远离高噪声模块
另外退火是制程一道工序,多用在离子注入后,芯片都切割了,就谈不上什么退火了
发表于 2011-9-1 17:14:23 | 显示全部楼层


谁会把OSC,ChargePump,clock,这些模块放在 bandgap周围呢?如果说把噪声源放在芯片的中央,这种版图设计是失 ...
xiaowanzi88 发表于 2011-9-1 13:38




呵呵 请教一下
这个10mV~50mV的误差是完全由于应力引起的?还是包含了corner的偏差呀?

你做的应力影响试验是这么做的啊?多谢了
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