金属走线问题求教

rengd02 · 发表于 2011-8-16 20:45:41

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看到西交大的ppt说金属线不能通过有源区，但可以通过电阻。可是看到版图艺术图8.15A stretched-collector transistor上面是可以走线的。不知道这里有什么区别吗？
而且在外延上走线和与在PBASE上走线又有什么区别呢？

guozhuoqi · 发表于 2011-8-17 09:29:57

本帖最后由 guozhuoqi 于 2011-8-17 09:33 编辑

一種是不通過源區的佈線,另一種是可以在源區上佈線,後一種肯定節省面積.至於用哪一種可能要看電路具體要求.一般M1不從POLY上通過。

xushuainju · 发表于 2011-8-17 11:39:16

金属走线不建议通过要求匹配比较严格的Mos管和电阻，为节省面积可以考虑通过不要求匹配的mos和电阻，一般不会有太大问题。工艺尺寸越小，越不建议金属通过MOS的poly，特别是底层的M1,M2。
原因是应力会造成一定程度的不匹配。

empmit · 发表于 2011-8-18 12:31:30

metal 是否跨国poly 主要看您是否在意metal与poly之间的cap。尤其是metal 走线为clock时，更要留意。

rengd02 · 发表于 2011-8-19 15:21:57

谢谢大家。那么在BIPOLAR工艺中，金属走线通过NPN的BASE和外延有什么需要注意的吗？最近做的一颗从2.5V PAD来的信号线通过了这个PAD旁边的NPN的外延，发现有些芯片的这个NPN管子烧了！

tweety138545 · 发表于 2011-8-20 18:11:43

都很厉害，学习了

关东客 · 发表于 2011-8-23 13:23:54

luguoluguo

司徒温孤 · 发表于 2011-8-23 15:02:21

xuexi le a

沐琉晴空 · 发表于 2011-8-23 23:38:47

学习了

flight_cai · 发表于 2011-8-27 11:50:14

回复 1# rengd02

metal跨线可能会导致几个问题吧：
1. 寄生电容。
2. 有高压的话可能会导致场开启(parasitic channel)
3. 老工艺里因为平坦化不好，所以metal走线有严格要求，不能垮台阶。

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