MOS及BIPOLAR模型详细文档

prexy

MOS及BIPOLAR模型详细文档

mypcbok01

非常感谢

moszheng

1. 《BSIM3v3.2.2 MOSFET Model --- Users’ Manual 》

    Weidong Liu, Xiaodong Jin, James Chen, Min-Chie Jeng,
Zhihong Liu, Yuhua Cheng, Kai Chen, Mansun Chan, Kelvin Hui,
     Jianhui Huang, Robert Tu, Ping K. Ko and Chenming Hu

    Department of Electrical Engineering and Computer Sciences ,  University of California, Berkeley, CA 94720 , Copyright © 1999 ,  The Regents of the University of California

Table of Contents
CHAPTER 1:                   Introduction 1-1
1.1  General Information  1-1
1.1  Backward compatibility  1-2
1.2  Organization of This Manual 1-2
CHAPTER 2:                   Physics-Based Derivation of I-V Model            2-1
2.1 Non-Uniform Doping and Small Channel Effects on Threshold Voltage 2-1
2.1.1                       Vertical Non-Uniform Doping Effect  2-3
2.1.2                       Lateral Non-Uniform Doping Effect  2-5
2.1.3                       Short Channel Effect     2-7
2.1.4                       Narrow Channel Effect  2-12
2.2   Mobility Model  2-15
2.3 Carrier Drift Velocity  2-17
2.4 Bulk Charge Effect     2-18
2.5 Strong Inversion Drain Current (Linear Regime)       2-19
2.5.1                       Intrinsic Case (Rds=0)       2-19
2.5.2                       Extrinsic Case (Rds>0)      2-21
2.6 Strong Inversion Current and Output Resistance (Saturation Regime)        2-22
2.6.1                       Channel Length Modulation (CLM)           2-25
2.6.2                       Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL)           2-26
2.6.3                       Current Expression without Substrate Current Induced
                                  Body Effect      2-27
2.6.4                       Current Expression with Substrate Current Induced
                                  Body Effect      2-28
2.7 Subthreshold Drain Current      2-30
2.8 Effective Channel Length and Width       2-31
2.9 Poly Gate Depletion Effect     2-33
CHAPTER 3:                   Unified I-V Model          3-1
3.1 Unified Channel Charge Density Expression        3-1
3.2 Unified Mobility Expression     3-6
3.3 Unified Linear Current Expression       3-7
3.3.1                        Intrinsic case (Rds=0)      3-7
3.3.2                        Extrinsic Case (Rds > 0)       3-9
3.4 Unified Vdsat Expression      3-9
3.4.1                        Intrinsic case (Rds=0)      3-9
3.4.2                        Extrinsic Case (Rds>0)        3-10
3.5 Unified Saturation Current Expression       3-11
3.6 Single Current Expression for All Operating Regimes of Vgs and Vds           3-12
3.7 Substrate Current    3-15
3.8   A Note on V      3-15
                   bs
CHAPTER 4:                    Capacitance Modeling           4-1
4.1 General Description of Capacitance Modeling        4-1
4.2 Geometry Definition for C-V Modeling         4-2
4.3 Methodology for Intrinsic Capacitance Modeling         4-4
4.3.1                        Basic Formulation       4-4
4.3.2                        Short Channel Model        4-7
4.3.3                        Single Equation Formulation         4-9
4.4 Charge-Thickness Capacitance Model         4-14
4.5 Extrinsic Capacitance     4-19
4.5.1                        Fringing Capacitance        4-19
4.5.2                        Overlap Capacitance        4-19
CHAPTER 5:                    Non-Quasi Static Model           5-1
5.1 Background Information       5-1
5.2 The NQS Model       5-1
5.3 Model Formulation      5-2
5.3.1                        SPICE sub-circuit for NQS model           5-3
5.3.2                        Relaxation time      5-4
5.3.3                        Terminal charging current and charge partitioning           5-5
5.3.4                        Derivation of nodal conductances          5-7
CHAPTER 6:                  Parameter Extraction        6-1
6.1 Optimization strategy   6-1
6.2 Extraction Strategies  6-2
6.3 Extraction Procedure   6-2
6.3.1                      Parameter Extraction Requirements         6-2
6.3.2                      Optimization    6-4
6.3.3                      Extraction Routine     6-6
6.4 Notes on Parameter Extraction    6-14
6.4.1                      Parameters with Special Notes        6-14
6.4.2                      Explanation of Notes      6-15
CHAPTER 7:                  Benchmark Test Results         7-1
7.1 Benchmark Test Types     7-1
7.2 Benchmark Test Results    7-2
CHAPTER 8:                  Noise Modeling        8-1
8.1 Flicker Noise   8-1
8.1.1                      Parameters      8-1
8.1.2                      Formulations     8-2
8.2 Channel Thermal Noise     8-4
8.3 Noise Model Flag    8-5
CHAPTER 9:                  MOS Diode Modeling          9-1
9.1 Diode IV Model  9-1
9.1.1                    Modeling the S/B Diode  9-1
9.1.2                    Modeling the D/B Diode  9-3
9.2 MOS Diode Capacitance Model  9-5
9.2.1                    S/B Junction Capacitance  9-5
9.2.2                    D/B Junction Capacitance  9-7
9.2.3                    Temperature Dependence of Junction
                              Capacitance     9-10
9.2.4                  Junction Capacitance Parameters  9-11
APPENDIX A:               Parameter List    A-1
A.1 Model Control Parameters  A-1
A.2  DC Parameters  A-1
A.3 C-V Model Parameters   A-6
A.4 NQS Parameters   A-8
A.5 dW and dL Parameters   A-9
A.6 Temperature Parameters  A-10
A.7 Flicker Noise Model Parameters  A-12
A.8 Process Parameters  A-13
A.9 Geometry Range Parameters   A-14
A.10 Model Parameter Notes   A-14
APPENDIX B:               Equation List    B-1
B.1 I-V Model   B-1
B.1.1                     Threshold Voltage   B-1
B.1.2                     Effective (Vgs-Vth)  B-2
B.1.3                     Mobility  B-3
B.1.4                     Drain Saturation Voltage   B-4
B.1.5                     Effective Vds  B-5
B.1.6                     Drain Current Expression   B-5
B.1.7                     Substrate Current   B-6
B.1.8                     Polysilicon Depletion Effect B-7
B.1.9                     Effective Channel Length and Width    B-7
B.1.10                    Source/Drain Resistance    B-8
B.1.11                    Temperature Effects   B-8
B.2 Capacitance Model Equations  B-9
B.2.1                     Dimension Dependence      B-9
B.2.2                     Overlap Capacitance    B-10
B.2.3                     Instrinsic Charges  B-12

2.《G U M M E L - P O O N    B I P O L A R    M O D E L---M O D E L    D E S C R I P T I O N ，P A R A M E T E R    E X T R A C T I O N》

3.《HSPICE®  MOSFET Models --Manual 》
Release W-2004.09, September 2004  by synopsys

MOS及BIPOLAR模型详细文档.rar (3.73 MB, 下载次数: 219 )

2011-8-10 10:29 上传

点击文件名下载附件
阅读权限: 1

prexy

回复 3# moszheng


  我靠，兄弟太不厚道了，我是穷人，想挣点分下资料不容易啊，你这么富有还抢我生意。

iyahsue

GOOOOOOOOOOOOOOOOOD

fityouit

哦哦哦哦哦哦哦哦哦哦哦哦哦哦哦

hewang98

哈哈~

luoxiao

回复 1# prexy


   好书，谢谢啊

最初的梦想

好东西，多谢分享

gxl2hm

生意？？？