看1/f噪声问题

georgehecm · 发表于 2011-7-31 09:41:50

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前些日子看帖，有人说身亚微米cmos器件，用io器件做电路1/f噪声会很多
里面说其栅氧不是一次生长成的，而是多次生长
是真的么？
谁能讲讲栅氧生长过程？特别是多种耐压管一起的工艺

weixiaoHUST · 发表于 2011-8-1 10:23:21

io器件一般工作电压较高.所以一般不是采用的工艺最小尺寸的器件,而且栅氧化层厚度也不是最小厚度.具体工艺应该不是多次生长. 应该是采用了不同的掩模版,或采用了一些nitrogen等控制手段形成的。

Xiao_Fex · 发表于 2011-8-3 18:37:58

en.....

ghost_ic · 发表于 2011-8-5 18:54:55

顶！！！！！！

icfbicfb · 发表于 2011-8-12 12:35:18

问下， 1/f 噪声是啥，和啥有关

对,I/O器件里面的oxide 是比较厚的，一般叫DG/OD_25等，耐高压，
poly gate也宽些，

donaldz · 发表于 2011-8-13 19:27:12

flicker noise，通常认为和gate oxide 和Si之间的硅氢键或者dangling bond之类相关。

neverryb · 发表于 2012-4-9 12:19:37

顶！！！！！！

wolffshen · 发表于 2012-4-9 17:48:55

flicker noise，通常认为和gate oxide 和Si之间的硅氢键或者dangling bond之类相关。
donaldz 发表于 2011-8-13 19:27

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顶，目前理论认为和表面态有关系

helongknight · 发表于 2012-4-16 18:37:41

和硅氧键缺陷有关

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