sdram使用中问题请教,急寻帮助

louisesunjie

现在在使用SDRAM中遇到了一个奇怪的现象，急需请教！
使用SDRAM型号：IS42S16160B
配置的情况是：全页模式，CL为3,RCD为3
现在在读的过程很正常，在写的过程出现了写不进SDRAM单元的现象。
具体问题：
比如每次写4个数据，第一次写没有问题，读出来的数据正常，第一次写完了等待一会在紧接着写4个数据，第二次写操作时的后两个数据就写不进SDRAM，读出来的数据还是之前SDRAM中保留的数据，但是前两个数据是可以写到相应的SDRAM单元中。
但是如果一次直接写8次数据的话，是可以正常的写操作。
并且在上面写4个数据的现象，再第二写操作完成之后，第三次再写4个数据又是正常的，第四次写的话又与第二次一样，后两个数据写不进SDRAM。

如果写数据的长度始终是8个，或者16个，都没有问题。  但是就是给4个的时候就出问题了，并且是规律性的。

开始给SDRAM控制器和SDRAM器件的时钟是130M，怀疑时序不对，就把时钟调低到了50M，结果还是跟130M时候一样。现在就很困惑。

从ACT到PRE最短的始终周期是10个，结束都是直接使用的PRE命令，没有使用terminate命令。

不知道谁能提示我现在问题到底出现在了什么地方，期待大家的指点！！！！
万分感激!!!!!!!!!!!!!!

louisesunjie

不是在灌水呀....实在是需要帮助！！谁能给一个错误可能的方向也好，现在都不知道怎么去检查了，怀疑过时序不对，从130M降到了50M还是一样的现象，感觉不太像时序不对。怀疑过给SDRAM的接口的命令信号不对，仿真检查了很多，并且把余量调的很大了，比如要求的从ACT到PRE最低要7个时钟周期，我现在给了至少10个以上，要求的从PRE到ACT是3个时钟周期，我给的至少也在8个以上，其他的都给了比较宽余的时钟数。
期待谁能给一个方向！真的很感激！！！！

cgssuccess

我觉得每写完一次，最好来一次terminate！读写只要是连续模式都需要terminate，然后precharge。好像发出terminate后，还可以写几个数据，直到terminate生效为止。你看看是不是terminate太早 了！，比如写4个数，在第3个数时候关闭！130mhz是不会有问题的！好久没有做了，不太清楚，建议你先挂个SDRAM的行为仿真模型前仿之后，再进入FPAG调试

louisesunjie

谢谢楼上的回答
我的问题终于给解决了，花了我一星期的时间和精力，其实是很简单的问题。
一个相当低级的错误。只能说在以后的工作中要细心细心在细心。同时也提醒大家在以后的工作中要千万注意细小的环节，越是没有含量的东西越是容易忽视，最终引起整个系统出现BUG！！！！！！！
出问题的地方不是在FPGA的内部！！
是又喜又悲呀！
细心，小心！
结果问题出现在了不用动脑子的地方。