这种情况下，M5横向的power mesh作用是否很重要？

chris_li · 发表于 2011-6-29 11:18:52

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本帖最后由陈涛于 2011-6-29 12:20 编辑

以6层metal工艺为例， metal6纵向做mesh，n组power/gnd pair，与metal1 power rail连接。 metal5横向做mesh，也是n组，但只和metal6 mesh连接。

P&R后，发现stdcel的metal1 power rail很少有连到 metal5 mesh上的，这样的结果似乎让metal5 mesh的存在起到副作用：至少metal5 mesh的存在覆盖了某些stdcell row，这些row的布线资源受到影响（只能打到metal4，然后绕行）。

横向 mesh的存在除了能降低整个power/gnd网络电阻的作用，改善IR drop，其他的正面作用似乎没有啊，请大大指正。

陈涛 · 发表于 2011-6-29 12:19:43

在你的例子中，M5可以不用，直接M6 stack via 到M1就可以

但是，并不等于所有情况都可以不用横向的power mesh

为了避免引起误会，我把你的标题改了

chris_li · 发表于 2011-6-29 12:54:21

在你的例子中，M5可以不用，直接M6 stack via 到M1就可以

但是，并不等于所有情况都可以不用横向的power ...
陈涛发表于 2011-6-29 12:19

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大大，再把话题延伸些了，知无不言，言五不尽嘛，呵呵。你能举几个例子吗，底层的stdcell tie-pin或power rail会主动找横向mesh的？
或者，怎样guide tool去尽量多连接横向mesh？

陈涛 · 发表于 2011-6-29 13:06:20

不要逼着tool去把横向mesh直接连到横向follow pin上。应该选一层纵向mesh，连横向follow pin

有时，横向也是有用的，比如：
8层layer，最高层很宽很厚，所以M8是纵向mesh，M7是横向mesh，再连到纵向M6上，最后到M1上

qingx_j · 发表于 2011-7-1 09:31:46

横向Mesh（本例M5）是需要的，主要是保证了整个Power mesh没有IR和EM问题。除非Design的Area很小，否则，一般来说供电的IO要分布在Chip的4边，纵向的Mesh保证了Top和Bottom的P/G IO的连接，那么Left和Right 上的P/G IO的连接如何处理？

陈涛 · 发表于 2011-7-1 11:30:43

对啊，至少应该有一层横向的，我怎么把这个给忘了

chris_li · 发表于 2011-7-1 11:54:24

本帖最后由 chris_li 于 2011-7-1 11:56 编辑

纵向的Mesh保证了Top和Bottom的P/G IO的连接，那么Left和Right 上的P/G IO的连接如何处理？
qingx_j 发表于 2011-7-1 09:31

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Left和Right的P/G IO 与 ring 连接啊，不是吗？与横向mesh有十分重要的关系吗？不懂的问。

陈涛 · 发表于 2011-7-1 12:03:53

ring能有多宽？而且通过ring流到top或bottom，那得走1/4圈哪

lz1920 · 发表于 2011-7-1 23:00:30

回复 8# 陈涛

老大貌似有点急了，直接打电话告诉他，哈哈。

陈涛 · 发表于 2011-7-1 23:57:50

没急

[求助] 这种情况下，M5横向的power mesh作用是否很重要？

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