设为首页收藏本站

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

切换到宽版

手机号码，快捷登录

创芯云服务 : 创芯大讲堂 | 创芯人才网 | 数字IC职业培训 EETOP诚邀线上IC培训讲师!

搜帖子

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › LDO 的power NMOS为什么不使用HZN这种vth较小的mos管呢 ...

发新帖

查看: 6082|回复: 1

[求助] LDO 的power NMOS为什么不使用HZN这种vth较小的mos管呢

发表于 2011-6-23 14:37:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

如题，LDO的power nmos为什么不使用HZN这种vth很小的mos管呢？按说这种管子的vth很小，对于前级的op输出级的输出范围会有所降低，同时HZN可以使用较小的size.
缺点是什么呢？
请教大家

相关帖子

回复

发表于 2011-6-24 18:03:43 | 显示全部楼层

leakage 电流问题比较大。可能无法完全关断

只是为了降低误差放大器的输出范围这个划不来

回复支持反对

发新帖

高级模式

B Color Image Link Quote Code Smilies

您需要登录后才可以回帖登录 | 注册

本版积分规则回帖后跳转到最后一页

关闭

站长推荐 /2

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-19 13:31 , Processed in 0.020238 second(s), 10 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

快速回复 返回顶部 返回列表