65nm工艺下锁相环电荷泵漏电问题

fengtang2332 · 发表于 2012-1-19 14:45:22

回复 8# gaojun927

那请问，如果是流片回来的漏电，应该怎样解决呢？

semico_ljj · 发表于 2012-1-19 15:04:16

不会是栅极漏电或者说是亚阈值漏电？

wocaishidac · 发表于 2012-1-19 15:20:48

楼主的电路图有问题，左侧的UP和DN控制信号应该和右侧反向才对，两侧开关交互闭合。
LPF是三阶滤波，是不是有部分元件放在片下？这样挂个R1是出于ESD保护吧。
C1的作用不是很明白，以前做过类似的，没用到C1

kmchen3089 · 发表于 2012-1-22 11:41:37

the up down control signal polarity of differential pair of charge pump ckt in fig 1 is error
and c1 and opamp of figure1 form positive feedback and perhaps it will cause oscillation on vc node

kmchen3089 · 发表于 2012-1-22 12:49:25

R1 and c1 and opamp of figure1 form positive feedback and perhaps it will cause oscillation on vc node
the sollution is to remove R1 and c1 and add compensation capacitor on unity gain buffer opamp output
to prevent oscillation

weiyanghpp1988 · 发表于 2013-4-19 14:42:49

回复 1# suzon

请问下65nm工艺下电荷泵设计时的电流范围是？我自己设计的电流500ua，在复位脉冲阶段上半部分电流冲达到10ma左右上下电流不匹配但是当把充放电电流降到100ua一下基本可以做到电流的匹配想问下是不是65nm的工艺下电流选取基本偏小

semico_ljj · 发表于 2013-4-19 15:49:04

不需要很大的I，数个G规模的100uA以内足够了！

weiyanghpp1988 · 发表于 2013-4-19 19:11:09

回复 17# semico_ljj

恩好谢谢哪我想问下：
1、你说的这个电流在100ua以内，这个是受什么限制的？
2、你知道关于楼主图1中，C1、R1两个参数的取值是怎么定的不？

weiyanghpp1988 · 发表于 2013-4-19 19:18:12

回复 1# suzon

想问下你的第一张图中R1 C1的值是怎么选取的正在设计cp 不知道怎么选取这两个参数指导下吧

kunhanlee · 发表于 2013-5-6 21:48:30

charge pump 为高频信号, 不可以使用core devices, 必须用2.5V的..

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