修antenna的时候不能往下跳层，从工艺上怎么解释？

ladanjing · 发表于 2011-6-10 10:19:57

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如题，请各位赐教。

一般都只往上跳层，没有好好思考过为什么。

hzjoshua · 发表于 2011-6-10 10:37:56

往下跳线的话，芯片在生成metal的时候，当source/drain未通过top metal连到poly之前，电子还是会往gate上聚集

zmn · 发表于 2011-6-10 11:00:56

我个人理解可以往下跳，但是低层金属不能直接连到poly上，要再跳到高层连下去

mnluan · 发表于 2011-6-10 11:47:48

假设说一条金属3层的线出现了antenna。就是说连到gate上的金属3层的面积超过了范围。解决的办法就是将金属3层的面积缩小。保持最小线宽，缩短长度。将这条线截成两段，往高层（4，5，6...）跳。在工艺生产金属3层时，这两段是断开的，因为高层的金属还没做。这样连到gate上的金属3层的面积就变小了。但是如果往低层（1,2）跳，在生产金属3层时，这两段通过低层金属连接在一起，其中一段金属积累的电荷会向另一段传递，从而又积累到gate上。因此，往低层跳没解决问题。所以跳层只往上跳。

q_l · 发表于 2011-6-10 15:03:31

同意，楼上

quantum · 发表于 2011-6-10 15:17:56

本帖最后由 quantum 于 2011-6-10 16:12 编辑

可以参考这里非常硅博客 http://t.cn/aKqWIN 有图片，解释的更清楚

楼主要先理解antenna产生的原因以及芯片制造过程，这样你就能理解为什么往上跳了。产生antenna要有两个基本条件: 1，antenna报错的metal连接到了poly上。 2，antenna报错的metal 面积比相对应poly的面积大，超过了design rule. antenna的是制造metal连线的过程(印象中是etch这一步)中导致的metal电贺积聚，每次生产完这一层metal还会进行清洗，这一步会释放掉本层以及一下层所带电贺，以此类推。所以，这个只是制造过程中的一个阶段性的产物，能够在制造这一层的时候避免掉就OK.
比如Antenna现象是由于Metal 2比gate poly面积大太多倍，那么我在Metal 2靠近gate的地方切断这根Metal 2向上跳了两层用Metal 4再将其连接起来，这样在制造Metal 2的时候就只有一小段Metal 2是和gate poly连接的，其余部分呢只有到了Metal 4造好后才会连起来，那时候Metal 2上面的电贺早释放了，当然也就不会有影响了。不知道将明白没？呵呵

xyz61978 · 发表于 2011-6-10 15:35:21

明白了

quantum · 发表于 2011-6-10 16:13:22

有一个带图片的，解释的更清楚 http://t.cn/aKqWIN

zmn · 发表于 2011-6-10 16:39:03

没有人觉得向下跳线也可以修掉的?

ladanjing · 发表于 2011-6-10 19:05:18

感谢各位~

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