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楼主: 陈涛

[原创] 后端面试--每日一题(011)

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发表于 2011-8-31 11:53:46 | 显示全部楼层
对于版主说的再标准单元的某一块之间,确实有时候会出现一下cell很小,但是pin很多的单元,这种情况也可能出现congestion,解决的办法是对这些cell在place之前设置一个间距,就是离它最近的cell的最小grid,具体的命令忘记了,好像是spceifyCellPad,UG上有介绍。
发表于 2011-8-31 14:26:38 | 显示全部楼层
现在走险不是可以通过软件完成摸!
发表于 2011-9-1 16:34:00 | 显示全部楼层
版主总结的很全了,主要就是memory channel出现congestion的处理,还有全是标准单元但有congestion的处理。若全是标准单元但仍有congestion,要么是local density太高,要么就是pin density太高,这时候就要限制cell density来降低pin density,另外如果是用ICC的话,在placement的时候使用global router来进行congestion removal以及congestion removal用high effort都是有帮助的。
发表于 2011-12-29 22:41:28 | 显示全部楼层
发表于 2011-12-30 17:55:39 | 显示全部楼层
看他的分析,感觉是feed through
求正解!
发表于 2012-2-14 10:40:58 | 显示全部楼层
回复 5# 陈涛


    拥塞出现在标准单元的情况。如果能在RTL改掉最好,最不喜欢在后端处理。碰到最多的引起拥塞的逻辑是大的case逻辑和大的移位逻辑。
能想到和做到的是把大的case拆成小的然后infermux或者不使用AO、OA等比较复杂的pin多的单元。
不知道还有没有别的好的方法。PR上的keepout,降低density等那是实在没办法才会用的。

曾想去硬化些大的mux,只是想想没去实现也不知效果怎样。
发表于 2014-3-31 20:11:18 | 显示全部楼层
真详细!
发表于 2019-9-29 13:28:41 | 显示全部楼层
坚持学习。
发表于 2024-8-26 17:31:14 | 显示全部楼层
学习了,如果出现在std cell区域,还可以通过sdc中控制fanout,以及在place阶段设定place max density
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