SRAM设计

narutolili · 发表于 2011-5-11 22:15:45

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大家好，我目前遇到了一个问题：我设计了一个很大的SRAM阵列，发现在读的时候预充电的位线会"写"SRAM的值为高，请问如何解决这个问题？我稍微调了一下，增大了几倍SRAM反馈那四个管的尺寸，但是还是没多大作用。请问如何解决

mastosh · 发表于 2011-12-14 23:24:50

sram控制都很难，帮不到了

fangtaocome · 发表于 2012-3-19 16:08:07

当代最先进45nm工艺下SRAM设计方法学的完美总结

archillios · 发表于 2012-3-22 21:10:01

预充电超过阈值，导致bit cell反转了？
调调bit cell的管子尺寸？
说得不对的话，算我帮顶。。。

dqfu · 发表于 2012-4-12 23:24:25

1.降低预充电BL的电压；
2.降低读操作时WL电压；
3.提高读操作电源电压；
4.增大pull down 管尺寸或者减小 pass gate尺寸；
5.降低pull up管的衬偏。
6.再不行，楼主你就别用传统6T cell了吧，换成一些非对称6T，多阈值6T，或者7T，8T，10T的cell

daojianxiaohyf · 发表于 2012-4-29 08:33:01

不懂呀。。。。

alex_wing · 发表于 2012-5-4 12:48:40

kankan~~~

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