关于mos开关的一些疑惑

superspy007 · 发表于 2011-5-8 14:45:47

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

对于一个mos开关来说，不论是单管的还是传输门都应该是尺寸越大，导通电阻越小，但是寄生电容就越大。最近在做一个电路时遇到了以下的问题，望大家讨论解决下。
大概的模型就是这样了，想求教一下各位图中复位开关s2对电路的影响，我现在发现的现象是s2尺寸变大后，每次复位后，共模电平比较稳定，但是放大倍数会受到比较大的影响，就是说放大的精度大大降低，s2尺寸小的话，放大精度比较高，但是共模点无法稳定，表现为比较明显的震荡，希望哪位给解释下原因，能给出好的解决方案就更好啦

lqlcug · 发表于 2011-5-9 12:58:08

S2尺寸越大的话，在S2断开的时候，X上的电荷会被吸收一部分，导致了放大精度的下降，此时S2尺寸大的话，导通电阻小，OP的loading就是C1，
如果S2尺寸变小的话，电荷注入就会减弱，放大精度会变好，由于导通电阻大，影响了输出极点的位置，建议你可以在采样相做一个环路稳定性分析。
以上是我的看法，欢迎楼下拍砖，大家一起分析一下！

shmiyi · 发表于 2011-5-9 15:19:58

好分析

superspy007 · 发表于 2011-5-9 19:41:00

回复 2# lqlcug
如果是传输门或者伪开关的话，沟道电荷注入应该是被一定程度的抵消，开关尺寸的大小还会是敏感因素吗？

lovexxnu · 发表于 2011-5-10 03:49:45

回复 4# superspy007

开关单独仿过了吗，先要确认开关设计没问题，可以最大限度的抵消沟道注入开关控制不好的话不但不会抵消而且会恶化沟道注入，
再一个确定NMOS和PMOS的控制时钟延时问题，确定栅极信号同步

减小尺寸的电阻增大，增加一个低频极点或者说电荷释放不充分

doedr · 发表于 2011-5-10 10:08:08

回复 1# superspy007

能否解释一下:放大精度是个什么概念?谢谢!

hsh22 · 发表于 2011-5-10 18:09:22

charge injection的影响

superspy007 · 发表于 2011-5-10 19:31:59

回复 5# lovexxnu

请教一下，开关单独如何仿真验证就认为是没有问题了？？

wind2000sp3 · 发表于 2011-5-10 20:12:27

1. dummy switch
2. dummy buffer.

lovexxnu · 发表于 2011-5-11 00:33:32

回复 8# superspy007

看看有多少channel charge没有被cancel掉，根据电容算算会不会影响你的精度要看worst case

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[讨论] 关于mos开关的一些疑惑

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

浏览过的版块

站长推荐 /1