mos管工作状态里的gds和ron有什么区别？

fumes · 发表于 2011-2-23 13:56:38

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ron指的是直流下的导通电阻吗？那gds又是指什么呢？

xuyanyan141 · 发表于 2011-2-23 16:32:19

小信号电阻的倒数

pangao_cd · 发表于 2011-2-24 10:37:14

ron是mos管工作站线性区的导通电阻

kook309 · 发表于 2011-8-31 13:52:52

顶起来，谁有更详细的回答！！！

小草 · 发表于 2011-8-31 16:24:55

ron是直流仿真出来的VDS除以IDS，
gds是在这个直流状态下的小信号输出阻抗的倒数。

小草 · 发表于 2011-8-31 16:46:37

当管子工作在深线性区时，我们关注的是管子的导通电阻，ron就是管子的导通电阻，此时不关心gds。
当管子工作在饱和区时，我们关心的是输出阻抗，就是1/gds,不用关心ron。

小草 · 发表于 2011-8-31 16:48:03

当管子工作在深线性区时，我们关注的是管子的导通电阻，ron就是管子的导通电阻，此时不关心gds。
当管子工作在饱和区时，我们关心的是输出阻抗，就是1/gds,不用关心ron。

严皮皮 · 发表于 2011-8-31 22:08:59

感谢你提这么好的问题啊，我一直都没注意它两的区别；
我刚刚和我师兄讨论了，并且我亲自仿真过；
Ron是漏源直流电压差除以通过它的直流电流；
而gds 是小信号等效电路图中ro的倒数；
关于上面的结论我是这么理解的，当MOSFET工作在饱和区，等效为一个大电阻；
Ron表现出来的是直流特性；
gds表现的是交流小信号特性；
不论晶体管工作在饱和区还是线性区；
这两个特性都是成立的；

fumes · 发表于 2011-9-1 10:26:12

回复 7# 小草

如果管子工作在线性区,这时要画出电路的交流等效电路图,那这个工作在线性区的管子的等效电阻是用gds,还是用ron?

小草 · 发表于 2011-9-1 12:49:15

回复 9# fumes

不管mos管工作在线性区还是饱和区，小信号模型中的输出阻抗永远是1/gds。
ron是大信号输出阻抗。

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