关于芯片内部power MOSFET的Rdson

kalahara · 发表于 2011-1-27 14:03:31

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

不管是设计，layout，工艺的角度，
有没有有效减小芯片内部power MOSFET
的Rdson 的方法呢。
谢谢

kalahara · 发表于 2011-1-28 13:20:20

被淹没了呀，没人给个建议吗？

ericking0 · 发表于 2011-1-31 15:53:47

这个属于器件的范畴了
而且不同的应用环境采用的MOSFET差异还是蛮大的
低压的普通MOS，中压的LDMOS，中亚的VDMOS，高压的LDMOS
很难一概而论的

sdmout · 发表于 2011-1-31 16:54:12

1)Put many many many hex cells in parallel.
2)Using low sheet resistance EPI.
3)Thin the wafer.

Anymore?

ukinfo · 发表于 2011-8-22 23:52:41

thinning your gate oxide

have you read my paper? It is straightforward.

CDS · 发表于 2011-8-23 00:07:28

对于不同工艺器件来说,减小RDSON,可以通过降低VT和提高载流子迁移率实现.
对于设计者来说,选定工艺了,单位面积的RDSON就固定了,减小RDSON,就增大管子的W/L.
另外还要考虑封装对RDSON的影响.
个人理解.

CDS · 发表于 2011-8-23 00:08:43

对于不同工艺器件来说,减小RDSON,可以通过降低VT和提高载流子迁移率实现.
对于设计者来说,选定工艺了,单位面积的RDSON就固定了,减小RDSON,就增大管子的W/L.
另外还要考虑封装对RDSON的影响.
个人理解.

lovexxnu · 发表于 2011-8-23 08:56:29

采用外部power transistor，金线封装都可以减小部分电阻
工作最重要，TI的片子基本可以做到几个毫欧吧，一般的小公司的估计就要上百毫了

semico_ljj · 发表于 2011-8-23 20:13:01

一般1欧一下，几百m欧常见

i0977454522 · 发表于 2015-7-1 09:38:17

power mosfet effect

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] 关于芯片内部power MOSFET的Rdson