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查看: 6876|回复: 8

[求助] 怎样才可以知道一个工艺的电子迁移率和栅氧电容

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发表于 2011-1-19 16:02:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在公式Id=1/2Un*Cox*(w/l)*(Vgs-Vth)中出现的工艺参数,如(Cox、Vth),怎样可以从工艺厂商提供的".lib”等资料中直接得到啊?我要这些参数是为了手推一些运算放大器的参数的。
我是大菜,刚入行,请各位大牛不吝赐教!!谢谢,谢谢!
发表于 2011-1-19 19:01:33 | 显示全部楼层
直接拿个管子做dc, btw平房率公式算出来的和实际想差太多没啥意义
发表于 2011-1-23 21:44:09 | 显示全部楼层
如果有hspice model,迁移率用u0,Cox用栅氧厚度tox加SiO2的介电常数估算,Vth同样用Vth0。注意选好九宫图的位置。我一般只用来估算过驱动电压,其余价值不大。
 楼主| 发表于 2011-1-28 12:04:45 | 显示全部楼层
回复 3# 有宋


    谢谢啊!
发表于 2011-2-8 21:05:13 | 显示全部楼层
cox,u0正解
发表于 2011-7-21 17:14:54 | 显示全部楼层
谢谢啦。。。。。很好。。。
发表于 2011-7-21 18:39:48 | 显示全部楼层
model文件里面的.mdl文件里有啊
发表于 2013-11-3 15:04:46 | 显示全部楼层
u0只是用于level1模型吧
发表于 2015-3-21 17:41:28 | 显示全部楼层
回复 2# hezudao


    每个管子处在不同的电流情况下他的那些参数不变吗
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