DDR3 的Fly by设计

chu8xv03 · 发表于 2016-10-9 11:20:21

关于这个flyby 我写过研究生论文。
世上没有绝对的事。
要不要用Fly-by是根据你自己的设计要求决定的。
如果你的颗粒很少比如 X86 2x32bit per CH, 可以考虑用T。
因为是On-board, 你可以尽量做好PCB Trace layout, SI&EMC可以做好的。
如果你很多颗粒，8X， or 16X, 那基本上要用Fly-by.

Fly-by 的最主要的目的是为了控制SI问题，让信号的阻抗匹配，termination更容易控制。
但是用Fly-by会同时引入Time skew的问题，也就是时钟到达各个颗粒的时间和数据到达的时间不一致，产生Skew, 这个一定要BIOS和Memory控制器来做Leveling才可以消除的。当然大的memory controller 厂商都可以做的。

T型结构要求时钟和控制类信号要很好的对称，各个分支的点要选好，还有走线的阻抗要控制好，端接点比较难控制。。。对于DDR3 和DDR4的多颗粒模块来说， Fly-by是唯一的选择。

另外提一句， LPDDR3， LPDDR4基本上还是用T结构。这个是因为这个接口信号发生了很大变化，每个channel的位宽也比较大。