关于栅区域打孔的问题

lin134340 · 发表于 2010-12-28 10:54:19

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请问在gate区域上方打孔连接金属的做法有什么潜在的问题？换句话说，为减小栅电阻，通常只是在栅区域外用金属连接，这样的做法避开了直接在栅区域的上方直接打孔，为什么？
如果说工艺规则不允许的话，那么工艺上的问题又是什么？

同时再问一个相关问题，在栅区域上方走底层金属线有什么不良影响？

dorahome · 发表于 2010-12-28 15:31:24

在栅上方区域走金属（主要是金属一），由于金属-介质-栅的构造形成的寄生电容，会将金属上信号的变化传给栅，使得栅极信号发生不必要的波动。

bilinzhuxiao · 发表于 2010-12-28 21:52:29

谢谢，我也有过这个问题

lin134340 · 发表于 2010-12-29 15:14:16

回复 2# dorahome

上方走线的问题大概明白了。

关于减小栅电阻而打孔不可行的问题恐怕是孔本身在工艺中参数变化大，引起栅信号产生问题。相比来讲栅电阻的问题可能更小。

goodsilicon · 发表于 2010-12-31 10:01:30

回复 dorahome

上方走线的问题大概明白了。

关于减小栅电阻而打孔不可行的问题恐怕是孔本身在工 ...
lin134340 发表于 2010-12-29 15:14

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栅上打孔，不小心就把oxide打穿了，当然不行。。。。。

lin134340 · 发表于 2011-1-5 12:45:35

回复 5# goodsilicon

能感觉到您的意思了……

fj198462 · 发表于 2011-1-7 11:41:22

同意5楼的说法.

[讨论] 关于栅区域打孔的问题