请问SiGe工艺和CMOS工艺的噪声哪个更好一些

spectre.rf · 发表于 2013-4-23 15:11:05

回复 4# bellona

这么说， jazz工艺库里面的bjt管子要比cmos管子的特征频率和噪声性能要好了~~~~

semico_ljj · 发表于 2013-4-23 15:47:52

120G up

wizardz · 发表于 2013-4-24 04:16:27

噪声好坏也看设计，CMOS很多trade-off和其他方法改善噪声。

模拟电路热噪声影响往往和带宽有关，kT/C。

BJT的1/f 噪声比CMOS好。

starraytheon · 发表于 2013-4-24 13:41:12

学习了！

yangxiaolan1 · 发表于 2013-8-13 10:23:38

请问一下，为什么常规mos管的高频噪声比BJT的性能差？如何减少mos管的高频噪声呢

jiazhu · 发表于 2013-10-4 11:41:34

学习了~

yunsgao · 发表于 2016-12-26 22:11:02

SiGe工艺要好了，由于它内部的特殊异质结结构，使得它的基区载流子在附加的电场情况下移动更快，这也就促成 ...
bilinzhuxiao 发表于 2010-12-28 21:56

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请问为什么载流子垂直硅界面1/f噪声小呢？

hszgl · 发表于 2016-12-27 16:52:14

回复 17# yunsgao

1/f噪声的成因有很多种，而对于半导体而言材料缺陷是最主要的部分之一。材料体内的晶格周期性和完整性，对比起满是悬挂键的Si/SiO2界面显然好的多，因此1/f噪声更低。

yunsgao · 发表于 2016-12-29 22:23:55

回复 18# hszgl

学习了但是对于载流子垂直于界面1/f噪声小这个疑问该怎么解释呢？

hszgl · 发表于 2017-1-3 17:06:55

回复 19# yunsgao

一样啊，载流子垂直界面运动，其运动轨迹在材料体内，界面只是个入口/出口，缺陷的影响就小了。

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