请问SiGe工艺和CMOS工艺的噪声哪个更好一些

pyhpsh · 发表于 2010-12-27 17:46:43

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呵呵，要是不麻烦的话可不可以帮我详细地比较一下

max8207 · 发表于 2010-12-27 21:21:04

详细比较，没那功底，一般来说SiGe工艺要好些。
当然也看工艺尺寸和设计技术。

bilinzhuxiao · 发表于 2010-12-28 21:56:16

SiGe工艺要好了，由于它内部的特殊异质结结构，使得它的基区载流子在附加的电场情况下移动更快，这也就促成了它的特征频率要比CMOS工艺高，在噪声性能上要优于CMOS工艺，适合低噪声放大器的设计。

bellona · 发表于 2011-9-7 20:51:50

对于噪声性能而言，SiGe工艺的优点是可以做出性能好的BJT管，由于BJT管中载流子是垂直于硅界面运动，它的1/f噪声要远小于CMOS管。也是因为这个原因，常规CMOS工艺中PMOS的1/f噪声小于NMOS，因为调整PMOS管Vth所需的离子注入导致PMOS沟道中空穴在栅氧与硅界面以下运动，SiO2/Si界面处的界面态对载流子的运动干扰相对小一点。

hugodarwin · 发表于 2011-9-7 21:33:54

SiGe它的特征频率要比CMOS工艺高，在噪声性能上要优于CMOS工艺，适合低噪声放大器的设计
SiGe的Gm/I 比CMOS工艺高

pyhpsh · 发表于 2011-9-9 01:08:43

领教了，感谢大家

严皮皮 · 发表于 2011-9-9 08:30:58

回复 4# bellona

讲得不错

大飞 · 发表于 2011-9-10 19:36:32

谢谢耐心解答

Timoney · 发表于 2011-11-1 16:34:04

学习了。

punktogy · 发表于 2011-11-2 04:03:27

学习了。

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