45nm的阈值电压大概是多少？

cuizehan · 发表于 2010-10-18 16:52:43

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找了半天愣是没找到

destiny21 · 发表于 2010-10-19 21:53:44

……这个怎么回答
现在接触到的45nm工艺里，正常情况下，数字部分核心内部供电电压是0.9v
不同的单元库可能会有不同的域阈值电压吧……

wu_xiaolin_110 · 发表于 2010-10-27 21:41:29

0.18um线宽是1.8V的电压工艺、0.13um的线宽是1.5V的工艺、90nm的线宽是1.0V的工艺
那你就想呀，45nm的线宽，那电压肯定是在1V以下了撒

wu_xiaolin_110 · 发表于 2010-10-27 21:52:44

再者，这个阈值电压随着线宽降低而降低，也是有道理的。你想，线宽变小了，芯片的面积也就变小了，如果不降低电压的话，那单位面积上的功耗，叫什么密度功耗的，不就很大了，那芯片岂不很容易烧坏了。当然还有其他降低功耗的方法，但你理解的时候就可以按照这种极端的情况来理解呀

yestop · 发表于 2010-11-3 21:26:56

thankyou verymuch

accel30 · 发表于 2010-12-14 12:38:56

thanks

chocolate827 · 发表于 2010-12-16 02:25:53

受教了~~~~~~

八部众生 · 发表于 2010-12-24 01:14:17

45nm下正常的NMOS Transistor，Vt也差不多在0.3V左右，LVT的Device会到0.1V多一点点。

实际上，虽然VDD会随着线宽的降低而降低，但由于噪声容限的问题，Vt不会线性降低的，而仅仅有少许变化。

下面的数据仅供参考，对于normal的NMOS Device

0.18um 0.4V
0.13um 0.38V
65nm 0.34V
45nm 0.30V

zhouweiscut · 发表于 2013-4-9 20:09:50

谢谢大神们，其实我是想知道65nm的阈值电压！在这里也找到了

上海大学 · 发表于 2015-1-20 17:15:31

不错。。。。。。。。。

[求助] 45nm的阈值电压大概是多少？

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