在线性区的MOS管，有沟道调制效应吗？？？

cheng2002520 · 发表于 2010-10-7 10:34:16

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沟道调制效应是工作于饱和区的MOS管所具有的二级效应，只有在沟道夹断的情况下才会存在。
那么工作于线性区的MOS管是否会存在这种现象呢？Razavi书上的答案里面考虑了这个情况：工作于线性区的MOS管有沟道效应存在。
这是否是答案错了呢？？

zhengsheng · 发表于 2010-10-8 12:47:31

这个要看定义吧……

nesta · 发表于 2010-10-8 15:46:06

一阶近似应该是没有的吧
不过vds会影响反型层的大小的

ccbb2 · 发表于 2010-10-8 17:23:18

从根本上来说，沟道长度调制当然存在，但是工作在这个区的器件，对这个参数不是那么敏感罢了。

YZX408 · 发表于 2010-10-8 23:32:36

同意楼上的

Jsscfind · 发表于 2010-10-10 17:11:40

我觉的只有在饱和状态下才会发在沟道调制
沟道调制发生在夹断状态下,不断减小夹断点与源极的距离
从而使电流增大的一个结果

crown911 · 发表于 2010-10-10 18:55:16

我认为是存在的，因为只要VDS的变化，沟道长度就会变化。而且我认为在线性区的时候沟道调制效应更明显。

zhangfuquan · 发表于 2010-10-26 15:41:27

一切源于model

cheetahxun · 发表于 2010-10-27 00:51:25

线性区的输出阻抗比较小，一般不考虑沟道调制
实际上在深亚微米工艺中输出阻抗的下降主要是由DIBL（Drain Induced Barrier Lowering）现象引起的http://en.wikipedia.org/wiki/Drain_Induced_Barrier_Lowering

梧桐 · 发表于 2010-12-5 13:54:01

沟道调制效应指存在于饱和区在线性区时沟道不存在夹断自然就不会有沟道调制长度调制啦！

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