带隙基准源设计

AKFC007

希望有所帮助

PaulDE

一种共源共栅自偏置带隙基准源设计
李  亮
1
，陈珍海
2
（1.苏州市职业大学电子信息工程系，苏州 215104；2.中国电子科技集团公司第 58 所，无锡 214035）
摘　要：在分析带隙基准理论的基础上，针对 SoC 芯片的 1. 2V 数字电路供电，设计一个低功耗低
温度系数、高电源抑制比的带隙基准源。电路由一个与绝对温度成正比（PTAT）电流源和一个绝
对温度相补（CTAT）电流源叠加构成，采用低压共源共栅自偏置结构来减少镜像失配和工艺误差
对电路的影响。 在 SMIC 0.13 μ m 混合信号 CMOS 工艺下， 电源电压为 2.5V 时， 使用 Cadence Spectre
对电路进行模拟，结果表明可实现 1. 2V 输出电压，电源抑制比在低频段为 -86dB、高频段为 -53dB，
温度系数为 12 × 10
-6
/℃、功耗为 0. 57mW。带隙电压基准源的版图面积为 75 μ m × 86 μ m。
关键词：带隙基准源；共源共栅；自偏置
中图分类号：TN431　  　　文献标识码：A　　　文章编号：1681-1070（2010）01-0024-04
Design of  a Cascade Self-abiasing Bandgap Reference
LI Liang
1
， CHEN Zhen-hai
2
（1. Dept. of Electr onic and Information Engineering,Suzhou V ocational University,Suzhou 215104,China;
2. China Electr onic T echnology Gr oup Corporation, No.58 Resear ch  Institute ,W uxi 214035,China）
Abstract: A bandgap reference of low temperature coef ficient, low-power and high PSRR is designed that is
based on  theory  of bandgap  ref erence  f or digital circuits  whose  power supply  is 1.2V  on a SoC  chip,  The  Circuit
str ucture consi sts  of a  proportional  to  absolute temperature  (PTA T)  current source  and a  complementary to
absolute temperature   (CT A T) current source,which  adopts low-voltage  cascode  self -biasing structure to  reduce
the mirror mi smatch  and technology err ors effect on the  circui t. The schematic  simulation is by  the tools of
Cadence  Spectre with  SMIC 0.13μm  mixed-signal  CMOS  technology at  power supply  of  2.5V.  The simulation
results shows  the  output  voltage  is  1.2V, PSRR  of  low f requency  is  -86dB,  PSRR of   high  frequency  is  -53dB  ,the
temperature coefficient is  12×10
-6
/℃,  the  power dissipation  is 0.57mW.  The  area of  bandgap ref erence  layout
is 75 μ m × 86 μ m.
Key words: bandgap reference; cascade; self-abiasing

yuanyuan0816

这个很好，解决了我的问题，电源抑制比的问题，很不错！顶起~~~~

renature

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大海wdh

看看有我的答案没