P+/N+ P+/N- 哪个击穿电压更大？

hehejiuaixiao · 发表于 2010-9-9 21:36:12

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why？

lylnk · 发表于 2010-9-10 09:04:32

P+/N-击穿电压大。

轻掺杂的PN结可以有更长的耗尽区，同样的电压下电场强度低，不容易击穿。

goodsilicon · 发表于 2010-9-10 09:05:32

不知道，学过的都忘了。我就知道前者电容会大些。
但是猜测后者更容易击穿。

zjzhang1124 · 发表于 2010-9-10 11:03:25

轻掺杂的PN结耗尽区宽外加电压在单位长度上电场弱，所以击穿电压高，更多的解释看看齐纳击穿和雪崩击穿的理论吧也许会有帮助

jessicapuy · 发表于 2010-9-10 13:29:23

楼上说的对，P+/N- 要大

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