pmos饱和条件

yaofei618 · 发表于 2014-3-28 11:47:02

有灌水嫌疑。拉扎维的书里有提到，在P19里提到VD-VG<|VTHP|， PMOS饱和。

peleGuo · 发表于 2014-5-14 17:54:33

都是栅漏电压与阈值绝对值比较，NMOS为正，PMOS为负

核桃树 · 发表于 2014-8-25 11:35:09

谢谢，非常感谢啊

神般存在 · 发表于 2017-4-13 13:35:12

2楼解释的清楚

Kamon · 发表于 2020-6-4 16:06:39

wulong527 发表于 2012-1-10 20:31
回复 9# saintowen

这个答案好，理解着记忆

一西 · 发表于 2020-6-5 10:32:06

先保证管子导通：Vgs>Vthp
再逐渐增大Vds，从线性区到饱和区

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