一个简单的工艺问题

wanily1983

应该是指电源电压吧，一看感觉就是跟线宽相关的节点电源电压，再小一点就是1.8V，1.5V，0.9V的NMOS,PMOS

jobkong

我的理解是源漏电压

风_满_楼

   

原帖由 savageasic 于 2006-11-4 11:23 发表
40V应该指的是与低压兼容的高压工艺，如用来做输出级的LDMOS器件等，我想是这样的，欢迎批评指正

同意楼上的说法，通常的说得3.3v,5V CMOS Trasisitor，其3.3v,5v指的是它的Vgs，由于其掺杂特性，它的Nwell/Pwell与其源漏区形成的PN结的反向击穿电压也是3.3V，所以也可以说Vds=3.3v.
而BCD工艺中，比如40V的NDMOS，其Vgs=3.3V,但是由于DMOS的制造方法不同，掺杂也不相同，其Vds可以达到40V. 即高压器件，但是其Vgs=3.3V，如果要改变Vgs，还需要改变栅氧化层厚度Tox才行。通常3.3V，Tox=70A。