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查看: 2191|回复: 4

[原创] 看模拟CMOS教材一个不太明白的地方,烦请指点一下

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发表于 2010-8-30 10:14:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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因为这个问题其实是书上的讲解有点点不太明白,比较基础的问题了,怕大家不耐烦看。所以先问问题,为什么

pic1.JPG
这个问题其实是书上的讲解有点点不太明白,比较基础的问题了。
计算小信号增益,书上用了2种思路。Vy=Vout。

第一种是Av=Gm*Rout的思路。

pic2a.JPG

先计算Gm。X点看到的阻抗较小,所以摆幅较小。相较而言认为由X经ro1流到P的电流可以忽略,所以把P看作虚地。
这样一来,Ix=-gm12*Vin,即Gm=-gm。


pic2.JPG
计算Rout的时候,他是把下面的M1、M2等效成电阻2*ro12,然后注意到M4复制了M3的电流,计算Ix时这部分电流要乘2。
pic4.JPG
Rout=Vx/Ix。


第二种是用代氏等效。

pic3.JPG
只看虚线部分,是完全对称的,所以可以运用半边电路的概念等效成电压源和电阻。
Veq=gm12*ro12*Vin,Req=2*ro12。
把从Vout流向Veq的电流记作Ix,得到
pic5.JPG
书上说,这个电流中流过1/gm3的部分,以单位增益被镜像到M4,所以
pic6.JPG
整理Vout/Vin就得到Av。


我有点点不理解的地方在于:
为什么在第一种方法里,M4复制的电流是整个流经ro3||(1/gm3)的电流。而到了第二种方法里,M4复制的电流只是流经ro3||(1/gm3)电流中(1/gm3)的那一部分?
M4复制的电流,实际上是指M4的受控源产生的电流(ro4的那部分另外计算),是由电压控制的。这个电压是由Ix流经并联电阻产生的,为什么要拆出1/gm3的单独一部分?

还有一个不理解的地方在于:
最后一个公式,是在Vout点应用电流守恒得到的。
这个地方的电流,包括M4受控源复制的电流(实际上按他所说,是流经1/gm3的电流),ro4产生的电流和Ix。
但是那个公式里面,只包含了流经1/gm3,1/gm4,ro4的电流,那流经ro3的电流那里去了呢?


基础问题,小弟不才,敬请指教。。。。。。
发表于 2010-10-21 23:17:00 | 显示全部楼层
路过,看看
发表于 2010-10-22 14:21:58 | 显示全部楼层
路过,看看
发表于 2010-10-22 15:35:37 | 显示全部楼层
回复 1# persempre


    你好,关于你的问题,我考虑了一下,提供一点建议。

    不知道你有没有注意到,M3,M4的漏极(D)的小信号的摆幅是不一样的(此电路在差分输入的情况下),M3的漏极的小信号的摆幅较小,而M4处漏极的摆幅相对M3很大,形象的讲(不严谨的定性分析),M3由漏极对电源的小信号电阻为1/gm3并上ro3,近似等于1/gm3,而M2漏极对电源的电阻是ro4,所以在流经ro3,ro4的电流是不一样的,ro4要远大于ro3,所以在计算中,有时会忽略ro3上的电流对通过M3的总体电流的影响,你的所有的问题基本都可以从这一点获得解决。

    不知你是否明白了。

    另外值得注意的一点是,你最后一个问题“只包含了流经1/gm3,1/gm4,ro4的电流,那流经ro3的电流那里去了呢?”
    在计算模拟电路时,必须注意有所取舍,如果从严格意义来推导的话,我们还得加上二级效应,如沟道调制效应等,那将使计算相当复杂,却有很难从中理出重要的关系,个人认为,我们手算的目的在于,从全局找出电路的关键特性及关键点,并就这些问题进行分析,至于更为细致的计算则应当用计算机来完成,即通过计算机来验证我们的分析。
发表于 2010-10-24 15:58:22 | 显示全部楼层
回复 1# persempre


    看看看看看看看看
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