silvaco模拟INGAAS PIN 探测器问题

inphbt0809 · 发表于 2010-8-23 12:16:48

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请教高手，模拟INGAAS PIN 探测器时，除了吸收层材料需要设置光学参数外，上下INP 层的吸收参数需要设置吗？如何设计？急盼

operajoooon · 发表于 2010-8-23 17:18:58

operajoooon · 发表于 2010-8-23 17:20:48

inphbt0809 · 发表于 2010-8-27 19:37:01

ewrwqr q

liujj84 · 发表于 2010-8-29 09:10:40

看不懂

hension_xie · 发表于 2010-9-29 10:17:11

帮忙顶！

lovinglulu · 发表于 2011-3-31 14:51:13

帮忙顶也想看

youlan501 · 发表于 2011-12-4 12:12:04

帮忙顶，想学学

micro_ele · 发表于 2011-12-12 20:50:19

ghokidfhj hjpokjg qsdkgqsdyudfqs qsdighqzdfiqs

shelbykuo · 发表于 2013-7-21 16:23:59

回复 9# micro_ele
我不是做这个方面的，仅供参考。这个图挺有名的，就是bandgap与晶格常数的关系。实线代表direct bandgap。
InP就是属于这类的，所以光先通过这层的话，就应设吸收参数。

Bandgap 晶格常数

附上从Google找的吸收参数图，不一定完全正确。

吸收系数

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