About EEPROM Cell current

liujingshu · 发表于 2010-8-14 14:31:05

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各位，

我正在设计一个用于EEPROM 编程的Charge Pump，功能都没有问题。我现在有个问题是不能确定当Charge Pump的电压升到15.5后，EEPROM Cell的编程（或擦除）电流应该是多少，有人说是10uA，也有人说是基本上是0。这个值应该是多少呢？有人做过的话，可否告知一下。谢谢

feiyu998888 · 发表于 2010-8-19 20:23:28

这个主要根据你所使用的eeprom编程功耗决定，如果使用厂商提供的IP核，他会提供编程功耗，只要把编程功耗除以编程电压就能得出你的编程电流，在仿真中，可以把EEPROM等效为一个电阻负载进行仿真。
不同的eeprom所使用的编程原理不同，如果是热电子注入方式的，需要较高的编程电流，而只是FN遂穿编程的编程电流在nA级。

rabit75 · 发表于 2010-8-23 10:24:40

学习了，谢谢

nvb_dthy · 发表于 2010-8-23 15:06:55

thanks

peterlin2010 · 发表于 2010-8-25 09:36:53

eeprom write 不是要 ma ??

以前問過 txmc cell 要 ma 比較安全
不過是多年前歐

piao · 发表于 2010-9-16 23:18:00

eeprom write 不是要 ma ??

以前問過 txmc cell 要 ma 比較安全
不過是多年前歐
peterlin2010 发表于 2010-8-25 09:36

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这要看你是算单个cell还是算整个芯片了吧

tanhanyue · 发表于 2010-9-21 21:56:17

^^^^^^^^

gxy2004 · 发表于 2010-10-3 20:49:30

ding ding

attiii · 发表于 2010-10-26 01:14:35

如果只是cell 基本为0

ericking0 · 发表于 2011-2-9 16:05:25

现在的E2大部分都是FN
感觉有的用热电子来写的E2都有点不实用，电流太大了，chargepump肯定扛不住

有段时间也在看这个的电流，在有个地方看到单个CELL的擦写电流为10nA量级

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