工艺角对器件的影响

小小xxl · 发表于 2010-7-14 11:17:00

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一般厂家工艺角变化，对一个普通的mos器件来说，它们的主要参数发生了什么变化啊，是怎样一个趋势？比如说阈值电压，栅电容变化之类的
有没有比较权威的参考文献共享一个啊？
先谢过了啊

小小xxl · 发表于 2010-7-14 11:18:02

现在只知道阈值电压在ttssff模式下怎么变化的，其他应该怎么变啊？有参考文献不啊?

zw1035961900 · 发表于 2010-7-14 23:43:04

aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa

小小xxl · 发表于 2010-7-15 22:43:24

呵呵，这么久了也没有个人回答啊？

sherfun · 发表于 2010-7-18 12:20:32

谢谢楼主

yuyingdugu · 发表于 2010-7-22 17:13:37

主要是迁移率和阈值电压变化

zheshiwo · 发表于 2010-7-26 03:07:30

好，谢谢！

gracechz · 发表于 2010-8-3 23:21:17

直接仿真是王道

hzcj · 发表于 2010-8-15 22:17:36

个人觉得栅电容不会变，Cox只与栅氧厚度有关，而Cgd与Cgs与器件的工作状态有关，似乎与corner无关。

ituluck · 发表于 2010-8-19 16:54:57

如果按照理想情况，不管在什么工艺角下其参数都不会变呵呵

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