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随着集成电路工艺的发展，FG Flash memory已经不能再 进一步缩小，而SONOS结构却能满足要求。故发一些Papers供大家学习参考。 |
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the future of charge trapping memories.rar
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A High-Speed BE-SONOS NAND Flash Utilizing the Field-Enhancement.rar
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A NAND-type Flash Memory Using Impact Ionization Generated Substrate.rar
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A Study of Gate-Sensing and Channel-Sensing II.rar
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A Study of Gate-Sensing and Channel-Sensing.rar
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Characterization of scaled MANOS nonvolatile semiconductor memory.rar
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Effects of channel doping concentration and fin dimension variation on.rar
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FG NVM and new alternatives-Maxim.rar
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High-k gate dielectrics Current status and materials properties.rar
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HOLE DISTRIBUTIONS IN NROM DEVICES PROFILING TECHNIQUE.rar
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Memory Technologies for sub-40nm Node.rar
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Novel UltraLow Voltage and HighSpeed ProgrammingErasing Schemes for.rar
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NROME — a new non-volatile memory technology.rar
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Profiling Charge Distribution in NROMT Devices.rar
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发表于 2010-6-13 16:09:29
