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[原创] ESD 测试请教。

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发表于 2010-5-20 15:04:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我的vcc to gnd ESD structure is gcldnmos,为什么vcc (-) to gnd(+) 的esd测试只有400v 呢?感觉ldnmos body diode 没有起来?

大家有什么好的建议啊。
发表于 2010-5-20 21:30:46 | 显示全部楼层
如果是按照正常设计和layout的不会有这个问题吧? 会不会是其它地方的问题? IO的PS mode能到多少?
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 楼主| 发表于 2010-5-21 11:10:45 | 显示全部楼层
请问 IO的PS mode能到多少? 是什么意思?
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 楼主| 发表于 2010-5-21 11:11:51 | 显示全部楼层
I/O to VCC(-) 有过2000的,有的400就完了。
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发表于 2010-5-21 11:34:10 | 显示全部楼层
PS mode: I/O(+) to gnd(-)
我想看的也就是I/O(+) to VCC(-),如果400到2K的话,就想看看schematic和layout了,body diode看来不够
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发表于 2010-5-21 16:37:05 | 显示全部楼层
你们讲的什么mode来着?
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发表于 2010-5-22 07:19:40 | 显示全部楼层
4# mycelldevice

VCC to gnd failed, obviously your gate coupled ESD device is not robust enough. Another possibility could casue the failure is the distance between VCC pad and GND pad is too long.
BTW, what is your step voltage for  zapping? 200V?
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发表于 2010-5-22 09:08:20 | 显示全部楼层
寄生二极管保护应该不会出问题,而且只有400v
是不是版图均匀性不好?
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发表于 2010-5-22 10:01:32 | 显示全部楼层
不明白啊~
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 楼主| 发表于 2010-5-23 17:21:31 | 显示全部楼层
感觉就是很怪,when vcc(-) gnd(+) the ESD should pass from body diode, the things is the layout design? or other circuit have leakage current?
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